浅谈借助静电测试提高LED品质

作者：时间：2013-10-04来源：网络收藏

LED应用已扩大至各个领域，包含LCD Backlight、手机Backlight、号志灯、艺术照明、建筑物照明及舞台灯光控制、家庭照明等领域，根据DIGITIMES Reasearch调查，2010~2015的需求成长高达30%，因此促使LED产能的大幅增加。随着LED应用环境的多元复杂化，LED下游商对上游晶粒品质的要求日趋严苛，如LED耐静电测试（Electrostatic Discharge，ESD）的电压值就从原本4kV要求，逐渐提高到8kV，以容忍户外的恶劣环境。所以高压LED耐静电测试为目前LED晶粒点测机中，急待开发的关键模组。

　　环境中各种不同模式的静电，包含人体静电或机械静电，均会对LED造成损坏。当静电通过感应或直接触碰于LED的两个引脚上的时候，电位差将直接作用在LED两端，而电压超过LED的承受值时，静电电荷以极短时间内在LED两个电极间进行放电，造成LED绝缘部位损坏，产生漏电或短路等现象。所以固态技术协会JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council）于JESD22-A114E、JESD22-A115A中，制定人体静电放电模式（Human Body Model，HBM）与机器装置放电模式（Machinemodel，MM）的测试规范，来确保LED产品的品质。但购买国外高压产生器搭配充放电切换电路，并整合Prober与自动化移动平台主要缺点为反应速度慢（0至4kV上升时间500ms），且未考量探针的高压绝缘，所以有晶粒分类速度慢及测试波型稳定性不足等严重问题，常会击穿LED或充放电模组，如图1，或机台高压测试性不足，出货后仍被高压静电损坏，直接影响LED成品品质。加上晶圆上2万~4万颗晶粒测量的时间常费时超过1小时，需要缩短检测时间以提高产能。因此本文透过开发针高速大动态范围LED晶圆静电量测模组，于高速多电压切换高压产生组件设计使用动态范围控制电路与PID回授控制，以高电压动态范围（250V-8kV）及高速静电测试（80ms），如图2A与图2B，来满足国内LED产业需求，达成降低成本与关键模组自制化之目的。

图1 LED遭静电损害

图2A 高速大动态范围静电量测模组短路静电测试电流波形

图2B 高速多电压切换高压产生组件电测试输出电压波形

　　LED晶圆静电量测模组系统架构

　　本文开发高速大动态范围LED晶圆静电量测模组如图3，针对晶粒的耐静电电压进行全检测试，依LED耐静电电压的大小，进行LED级别分类。此静电点测全检模组包含测试高速多电压切换高压产生组件、探针组件、充放电组件、软件分类组件。以测试探针平台移动两探针接触待测LED之正负电极上，高速多电压切换高压产生组件依软件电控程式设定产生人体静电放电模式或机器装置放电模式测试电压准位，充放电模组储存高压产生器电荷后对待测LED进行静电耐压测试，最后软件分类组件显示静电测试结果。本技术针对现有国内LED晶圆静电量测模组动态范围不足（500V至4000V）与国外模组电压切换时间过慢（0V至4kV上升时间约500ms）之问题，设计成高速大动态范围LED晶圆静电量测模组，使输出电压可涵盖规范静电分类之最小电压250V至最大电压8000V大动态范围；并缩短低电压切换至高电压上升时间至80ms以内，以达高速与大动态范围LED晶粒线上检测与分类目的。