武汉新芯：定位存储器制造，两年后或推3D NAND

　　武汉新芯集成电路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起独立经营，是国有制企业。为了区别于本土的制造巨头SMIC(中芯国际)和华力微电子(HLMC)等，XMC将立足存储器制造。近日，武汉新芯董事长王继增告诉笔者。

　　NOR Flash制造领先

　　这是由于武汉新芯的最大客户来自于NOR闪存。XMC成立之初，曾委托SMIC进行经营管理，当时XMC就开始为Spansion代工NOR闪存。目前NOR有两大技术体系，一类是ETOX，是Floating-Gate(浮栅)技术;另外是与Spansion合作的MirrorBit技术。XMC已经成功的大规模量产了90、65和45nm的NOR Flash产品，目前正在进行32nm工艺技术的研发，今年8月底关键设备浸没式光刻机已经到位，预计2015年底实现大规模量产。

　　XMC拥有全球最领先的NOR Flash制造技术和研发储备。2010年，全球第一款基于65nm，4Gb NOR Flash芯片在XMC大规模量产;2012年，XMC成为全球首家成功研发45nm NOR Flash的公司;2013年，XMC全球首发45nm，8Gb NOR Flash产品;XMC是全球唯一一家正在研发32nm NOR Flash的公司。

　　然而，NOR整体的市场容量有限，全球年销售收入仅为30多亿美元的。尤其是在高容量的NOR Flash方面，其市场受到低容量NAND Flash的侵蚀。目前XMC月产能规模维持在1.2万片12寸晶圆。

　　3D NAND是切入点

　　因此，武汉新芯又把眼光落到了闪存的另一重大分支——NAND Flash上，尤其是3D NAND。“目前2D NAND Flash已经进入1Xnm时代，几近于其物理极限，微缩的成本和工艺难度都急剧上升。据市场预测，从2016年起，2D NAND将会被迅速取代，3D NAND快速增长。”王继增预计。目前三星刚推出样品，估计2014年量产，2015年年底大批量投产。“我们预计用两年多时间做出来3D产品。”

　　之所以选择3D NAND，首先当前全球NAND闪存将近400亿美元规模，国内的用量超过全球总用量的50%，市场非常可观。另外，3D是一个完全不同的技术方向，相对于2D NAND对微缩技术的要求，3D NAND的关键技术是极度复杂的刻蚀和薄膜工艺。因此，用于45nm工艺的浸没式光刻机即可满足3D的微缩工艺要求，45nm工艺是XMC成熟的工艺。再有，美光和SK海力士也是刚刚开始研究该技术，大家站在同一起跑线上。

　　欲成为ISM(集成的次系统组件制造商)

　　受到IDM(集成器件制造商)商业模式的启发，武汉新芯提出了一个新概念——ISM(集成的次系统组件制造商)，主要是采用新的商业模式，推动国内3D NAND产业的发展。考虑到国内的封装和测试业相对成熟，XMC的主要精力仅放在3D NAND 产品的设计、制造与次系统组件产品(SSD, eMMC，eMCP)应用方面，不再投资封装和测试领域。

　　为何现在不做DRAM?

　　王继增解释道，DRAM过去依靠PC来推动其发展，但是，随着移动装置的迅速发展，PC市场已经出现了萎缩的苗头。Mobile DRAM是当下的发展热点。不同于NAND Flash正处于一个从2D向3D过渡的转折时期，DRAM技术的发展依然靠传统的微缩技术，在此方面，美光、三星等SK海力士等已经占据了市场的主导地位，形成了很高的技术和市场壁垒。所以，目前XMC不会切入DRAM市场。