三星推新DRAM芯片 手机运行内存或将升至4GB

　　近日，三星宣布已经制造出了业界首款8GbLPDDR4移动芯片，该芯片不仅将比目前市面上的同类产品运行速度更快，而且体积更小能耗也更低。

　　该8GbLPDDR4芯片采用了20nm制程工艺，每块芯片的内存容量为1GB，这意味着2014年推出的智能手机如果能搭载四块这样的芯片话，那么将具有容量为4GB的RAM内存。

　　三星电子内存销售及市场副总裁Young-HyunJun表示：“新一代LPDDR4DRAM将会在2014拉动全球移动DRAM市场的增长，并且很快将占据DRAM市场的大部分份额。而三星也将继续致力于移动DRAM芯片的研发工作，从而使全球的OEM厂商能够制造出性能更强大的移动设备来满足用户的需求。”

　　据悉，与目前的LPDDR3芯片相比，三星推出的新款LPDDR4芯片将有50%的性能提升，而且能耗将下降40%。此外，这款LPDDR4芯片很可能将被使用在三星即将推出的配备2K屏幕的GalaxyS5旗舰机型上，而其3.2Mbps的数据传输速率是目前LPDDR3芯片的两倍之多。三星曾在去年九月推出的GalaxyNote3上率先使用了3GB内存，而仅仅半年之后，首款搭载4GB内存的手机或许就将在MWC2014展会上正式亮相。