晶体管PC参数测量仪DIY详解

原理图：

原理介绍：基极上串连1K采样电阻，分别测量1K两端上的电压V1、V2，这样V2就是Vbe，而基极电流就是：(V1-V2)/1000 - V2/30000 。同样，集电极串连3.4欧采样电阻，分别测量其两端电压V3、V4，这样V3就是Vce，集电极电流就是：(V4-V3)/3.4 - V3/30000。

根据上述4个数据，就可以测量很多东西了。例如，测二极管正向特性和电阻就是只测Vce和Ic；测N-MOS就和NPN一样，只关心Vbe和Ic就行了。 测量PNP可能麻烦一点，还在写程序，打算是PNP的发射极接C，集电极接地，不过一开始，Vbe就设置成较高电压，集电极电压就从0慢慢升高，直到V4>V4为止，这时候，PNP管才正式导通。测光电耦合器是光电二极管接在集电极和地，而光敏三极管接在基极端。

测量 J－FET较麻烦，打算是源极串连基准电阻后，像NPN一样接入测量。

下面谈谈这个在使用中的缺点： 因为基极采样电阻只有1K，而MAX188的精度只有1mv，还经过3倍分压，再加上干扰，所以，在基极采样电阻上的压降要达到10mV才可信，这样，基极电流就至少得10uA才能有效测量。

同样，集电极采样电阻只有3.4欧，如果集电极电流小于3mA就是误差了。这样导致不能有效测量小功率管。

DAC输出电流最大2.5mA，这样，基极也最多2.5mA。测量Hfe较低的就不好办；集电极采样电阻3.4欧，这样在电流1A时，压降达到3V，留给测量管的只剩下5-7V了。

现在正在构思1.1版本，基极采样电阻分两档，两个接线端b1/b2，采样电阻分别是10K和100欧，基极电流也加入扩流。最大输出120mA，集电极采样电阻也分两档c1/c2，采样电阻1K和1.4欧， Vce输出部分的扩充电流部分打算加入限流，以保护管子。这样将c1 c2 和 b1 b2组合有四种量程，满足Ib=1uA--100mA，Ic＝100uA--2A测量。

量程不用继电器切换，而是插到不同插座上。原来只使用4个通道ADC，现在用6通道ADC输入端，这样就不用增加继电器和控制线。新板打算放4个5位接线柱，用于接大功率管测量。还放一个DIP20锁紧插座用于测量小功率管。这样，能满足除了To-3外任何管脚插法。

测量没有温升是很好的，一般人试过在>0.3A下手动测量管时，即使加散热片，但看着读数不停升高，根本不知道什么时候读数才好。而这个测量器测量是没有温升的，排除了管子自身温升影响，通过外加加热器自己控制温度，就能保证每一只管都可以在同样温度下测量。