金属-氧化物-半导体场效应管
结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。
4.3.1 N沟道增强型场效应管
一、结构
( vGS＞VT )
式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。
2. 参数
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP，而用开启电压VT表征管子的特性。
4.3.2 N沟道耗尽型场效应管
图1
| 结构种类 | 工作方式 | 符 号 | 电压极性 | 转移特性 iD = f (vGS) | 输出特性 iD = f (vDS) | |
| VP或VT | VDS | |||||
| N沟道 MOSFET | 耗 尽 型 |  | (-) | (+) |  |  |
| 增 强 型 |  | (+) | (+) |  |  | |
| P沟道 MOSFET | 耗 尽 型 |  | (+) | (-) |  |  |
| 增 强 型 |  | (-) | (-) |  |  | |
| P沟道 JFET | 耗 尽 型 |  | (+) | (-) |  |  |
| N沟道 JFET | 耗 尽 型 |  | (-) | (+) |  |  |
| P沟道 GaAs MESFET | 耗 尽 型 |  | (-) | (+) |  |  |
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