半导体BJT

共基直流电流放大系数为 。

3．特征频率fT：当考虑BJT的结电容影响时，BJT的电流放大系数b 随工作频率f 的升高而下降。当b下降为1时所对应的信号频率为特征频率fT。

三、极限参数

1．集电极最大允许电流ICM

ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。

2．集电极最大允许功率损耗PCM

PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。

PCM= iCvCE

3．反向击穿电压

① V（BR）EBO

V（BR）EBO是指集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。

② V（BR）CBO

V（BR）CBO是指发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压。

③ V（BR）CEO

V（BR）CEO是指基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压。V（BR）CEO V（BR）CBO。

各击穿电压大小之间有如下的关系：

V（BR）CBO> V（BR）CES> V（BR）CER> V（BR）CEO

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