FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件

作者：时间：2011-07-13来源：网络收藏

世界顶尖的非易失性铁电存储器(F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020与其它V系列F-RAM一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V，并采用业界标准28脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟(NoDelay) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。FM28V020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中，作为需电池供电的SRAM的兼容替代产品。

Ramtron市场拓展经理Mike Peters称：“FM28V020相比现有256Kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的FM18L08比较之下，FM28V020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2V的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40MHz，是需电池供电的SRAM或NVSRAM的简便升级产品。”

关于FM28V020

FM28V020是配置为32K x 8的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM)，读写操作与标准SRAM相似，能够在断电后保存数据，提供超过10年的数据保存能力，可消除需电池供电的SRAM (BBSRAM) 带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。去除了系统中的电池可以简化生产过程，减少系统维护，并且显得更加环保。F-RAM具有的写入速度快，几乎无限的读写次数等特点 (写入次数大约为1014次)，使其优于其它类型的存储器。

FM28V020在系统内的工作方式与其它RAM器件类似，可以用作标准SRAM的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可触发读写操作。由于F-RAM存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以极度适用于需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整个工业环境温度范围内工作。

关于V系列F-RAM

Ramtron 的V系列F-RAM产品采用由Ramtron 和德州仪器(TI)共同开发的先进130nm CMOS生产工艺制造，所实现的器件性能改进包括：

提高存储器性能：随着FM28V020的推出，256-Kb 并口F-RAM的存储周期已从140ns降低到90ns，比Ramtron现有256-Kb并口 F-RAM 器件缩短64%。 SPI和 I2C 串口V系列产品的读写性能则较Ramtron现有串口F-RAM 产品提高2至3倍。

更低的工作电压，更宽的电压范围： V系列F-RAM由于采用德州仪器130nm F-RAM制造工艺，现已具有设置低至2.0V工作电压的灵活性，让F-RAM在更多电子系统的固有电压下工作。

FM28V020是不断增长的V系列产品之最新成员，V系列目前包括以下F-RAM存储器

· FM28V100 (1Mb并口F-RAM)

· FM28V020 (256Kb 并口F-RAM)

· FM24V10 (1Mb串口I2C F-RAM)

· FM25V10 (1Mb串口SPI F-RAM)

· FM24V05 (512Kb串口I2C-RAM)

· FM25V05 (512Kb串口PI F-RAM)

· FM24V02 (256Kb串口I2C F-RAM)