“简洁至上”的晶体管甲类音频功率放大器

电路结构与特点

　　该晶体管甲类音频功率放大器电路及电源电路如图1所示。这一功放电路具有高达15W的有效值输出功率，它只用两只晶体管，并把它们直接相连，复合成一只高跨导的功率场效应晶体管。这是笔者受到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的启发偶尔想到的。IGBT是一种新型半导体功率器件，已成功地应用于高频开关电源中，近几年在高保真声频功率放大器中也常见到它的踪影。它兼有双极型晶体管(即普通PNP、NPN晶体管)和单极型晶体管(即场效应管)两者的优点，但没有两者各自的缺点，所以应用前景非常广阔。普通晶体管的饱和压降小，但开关速度慢，而且是正温度系数。场效应管不需要输入电流，开关速度快，具有负的温度系数，但是导通电阻较大。IGBT的等效电路如图2所示，图中(a)示出了由P沟道场效应管和NPN型晶体管复合而成的IGBT等效电路，(b)示出了由N沟道场效应管和PNP型晶体管复合而成的IGBT等效电路。由于目前的IGBT主要设计目的是用于开关电路而不是线性放大电路，所以其输出特性曲线的线性不太好。笔者采用了一只性能优良的日立名管2SJ77与一只国产大功率晶体管3DD9按IGBT结构复合成输出管。2SJ77(互补管为2SK214)是专门设计用于线性放大的中功率MOSFET，在高保真功率放大器中常用作推动管，口碑颇好。其跨导高达40mA/V(或40mS)，输入电容CIS为90pF，还不到大功率场效应管2SJ49(2SK134)输入电容的六分之一。

　　这种复合方式有以下显著优点：(1)具有极高的跨导，可产生足够的电压增益。2SJ77的跨导为40mA/V。因为VT1的漏极直接接到了VT2的基极，所以VT2的发射极电流就是VT1漏极电流的(β＋1)倍。如果VT2的电流放大系数β为50，则这只复合管的跨导就是2000mS。这就是说，场效应管VT1的跨导被VT2放大了大约β倍。在图1所示电路中3DD9的β选为40。当R3短路、R4开路时的开环电压放大倍数为60。负载为8Ω时最大输出功率为15W，可计算出所需输入电压的有效值约为0.18V。当R3=51Ω，R4开路时的电压放大倍数约为30，这就是说，R3产生了－6dB的负反馈。当R3=51Ω，R4=2kΩ时的总电压放大倍数为15，总负反馈量为－12dB。其中R3产生的反馈为电流串联负反馈，R4产生的反馈为电压串联负反馈，各为－6dB。(2)VT1对于VT2来说为电流驱动，VT2的基极电流就是VT1的漏极电流，因此可避免双极型晶体管VT2产生奇次谐波失真。场效应管的栅源电压UGS与其漏极电流ID为平方关系，虽然不是线性关系，但理论上只会产生二次谐波失真。而双极型晶体管的基射电压UBE与其集电极电流IC为指数关系，如果采用电压源激励，就会同时产生奇次和偶次谐波失真。但是如果采用电流驱动，则集电极电流IC与基射电压UBE无关，就可避免奇次谐波失真的产生。该功率放大器的音色醇厚而温暖，颇有胆机的味道，其原因可能就在于此。(3)复合管的输出管VT2的集电极直接接地，因此与散热器之间不必加绝缘垫，有利于减小热阻，这对于产生热量较大的甲类功放更显得必要。实际安装时，应将2SJ77靠近3DD9，目的是产生热耦合，利用MOS型场效应管的负温度系数改善整个放大电路的温度特性。如果不加负反馈，则2SJ77也可以不加绝缘垫，因为它的源极(即中间的管脚)正好为外壳。(4)这种复合管比目前IGBT管线性好，并且价格低。
　　该功放大器电路的偏置电路利用发光二极管作为偏压稳定，在电源电压发生波动时，可保持静态电流基本不变。
　　电源电路采用扼流圈输入式倒L型滤波电路，输出直流电压约为电源变器次级电压有效值的0.9倍。滤波电感器要求电感量大于1H，电流大于1.5A。如果感到扼流圈不便于自制与安装，也可以采用图3所示的稳压电源供电。因为单端放大电路对电源纹波没有抑制作用，所以如果不用扼流圈或稳压电源而仅靠电容滤波，则即使电容用到20000μF时，也仍有几十毫伏的交流声。

　　图1所示电路中的VT1与VT2，如改用MJ29585与2SK214，则输出功率为10W。需注意的是复合后管子属于N沟道的IGBT，故电源与电路中有极性的元器件与组件的极性都要反过来。

安装、调试与技术指标

　　1.元器件的选择　输出管VT2选用国产的3DD9(F－3型金属封装)，也可使用2SC2922等大功率管，但要求左右声道两只管尽量做到特性一致。最好用晶体管特性图示仪测试，挑选线性较好(即曲线间隔均匀)的管子，但应该注意测试条件要尽量接近实际工作状态。正宗的进口管线性较好，一致性也较佳。而国产管的离散性较大，需要耐心挑选。还要特别注意该晶体管基极开路时的集射极间最高反向击穿电压，这一电压应大于电源电压的三倍以上(即不低于160V)，并要留有一定的裕量。否则当扬声器开路时，输出变压器产生的感应电压容易将管子击穿。
　　当VT2的电流放大系数为40，集电极静态电流为0.7A时，基极电流约为17.5mA，它等于VT1的漏极电流。为了使VT1的静态工作电流不致于太小而进入非线性区，VT2的电流放大系数就不能太大。例如，若选VT2的电流放大系数为100，则VT1的漏极电流仅为7mA就可以使VT2的集电极电流达到0.7A。常见进口大功率管(如三肯的2SC2922，东芝的2SC3281等)的β值一般都在90以上，故VT2选用国产的3DD9。国产的3DF10C采用F－4型金属封装，也很不错。
　　推动管VT1选用2SJ77，也需要在接近实际工作状态的条件下进行挑选配对。2SJ77的挑选配对工作可采用图4所示的电路来进行。，图中6V电源可采用4节1号干电池。调节1kΩ电位器使100Ω电阻上的电压为1.75V，此时漏极电流即为17.5mA。再用数字万用表测量并记录此时栅极对源极的直流电压UGS，挑选两只UGS相近的管子即可。如果要测量2SK214，则别忘了把电源极性反过来。MOS型场效应管比较娇气，所以用晶体管特性图示仪测试时，要特别谨慎，以免接地不良将管子击穿损坏。

　　电源变压器的功率容量应不小于150VA，次级额定电流不应低于2A。
　　输出变压器的制作工艺比胆机要求简单得多。要求初级阻抗为72Ω，如果次级负载阻抗为8Ω，则初次级的匝数比为3∶1。该功率放大器所用输出变压器是在定州飞达电子厂定做的，也可以参照有关资料自己制作。
　　稳压电源中的调整管采用了国产锗晶体管3AD30C，要求其电流放大系数不低于70。稳压电路虽然为集电极输出电路，但由于锗管的穿透电流比较大，故可不必另外设置启动电路。调整管的集电极也可以直接接地。稳压二极管采用μ574，是彩电中专门用于稳定高频头调谐电压的集成电路，效果很好。同时还要调整取样电阻，使输出电压为＋38V，电源变压器的次