ADI针对基站和卫星通信的高线性度RF前端解决方案

在终端设备（如手机和PMP）越来越讲究轻薄小巧的今天，单芯片RF（射频）前端在终端应用市场上的前景越来越受到欢迎。可是，与数字电路不同，单芯片RF的高集成度常常是以牺牲性能为代价的，这也正是为什么无线终端产品可以采用单芯片RF前端，而像手机基站、卫星通信和点对点微波无线电设备这类对性能有很高要求的应用却不采用单芯片RF前端的背后原因。

　　ADI公司RF和联网元件部副总裁Peter Real表示：“我也可以像其他供应商那样把所有的RF IC集成在一个芯片上，但其性能可能就不会太好。我们的策略是在保证性能的前提下尽量提高集成度。这也正是为什么ADI既可提供高集成度的单芯片收发器解决方案、高性能射频功能模块、又有覆盖整个RF信号链的分立型RF IC的原因。”

　　目前，ADI公司覆盖整个RF 信号链路的射频IC产品包括：直接数字频率合成器（DDS）、锁相环合成器（PLL）、TruPwr功率检波器以及对数放大器、X-AMP可变增益放大器（VGA）、功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）及其它射频放大器、混频器，以及直接变频调制器与解调器产品。Peter Real强调指出：“ADI是唯一能提供可覆盖整个RF信号链产品的公司。”

　　他说，ADI是全球PLL合成器和RF检波器的市场领导者，我们开发出的业界首创和具有突破性的RF产品有：Gilbert Cell混频器、TruPwr RMS功率检波器、集成式PLL/VCO、X-AMP、宽带混频器。

　　ADF4350 是ADI最新推出的业界首款全集成的频率合成器，内置片上VCO（压控振荡器）与PLL（锁相环），可以工作在极宽的连续频率范围内，从137.5MHz 到4.4GHz。ADF4350频率合成器是业界具有最低相位噪声的宽带合成器，支持小数N分频和整数N分频，可与ADI公司新款双通道有源与无源混频器配合使用，以实现高线性度的射频前端，用于手机基站、卫星通信，以及点对点微波无线电设备。

　　Peter Real说：“ADF4350是业内唯一的同时支持所有2G和3G系统的集成式合成器，也是唯一实现小数N分频工作模式的元件。它易于使用、灵活的输出级可驱动有源和无源混频器（差分或单端），无需缓冲放大器，这使得它可帮助客户节省成本、电路板面积和元件数量，从而使客户能开发出适用于多种应用的标准产品。”

　　ADF4350集成频率合成器为设计工程师提供了单芯片的低相位噪声解决方案，其它竞争方案则需要使用多达10个分立的VCO/PLL。ADI公司新款超宽带、全集成频率合成器中内置的VCO在2.1 GHz工作频率、1 MHz偏移处的相位噪声为–137 dBc/Hz，在137.5 MHz工作频率、1 MHz偏移处的相位噪声为-155 dBc/Hz，这相当于2.1 GHz频率下的综合均方根（RMS）相位误差为0.36°，137.5 MHz频率下的综合均方根相位误差为0.02°。ADF4350提供两个射频输出端口，使用户可对输出功率电平进行数字编程。

　　与竞争产品不同，ADF4350支持整数N分频与小数N分频工作模式，允许用户通过软件控制方法确定最佳杂散与相位噪声性能，从而实现最佳的性能，加速上市时间。

　　ADI 公司还推出了可与ADF4350相配合的一系列高集成度混频器，如有源的ADL5802及无源的ADL5356、ADL5358与ADL5360，它们非常适合于组合起来实现各种通信应用，如WCDMA、TD-SCDMA、MC-GSM、LTE和WiMAX。这几款双通道分集混频器扩展了ADI公司的主产品与分集产品系列，与ADF4350配合使用时，可提供高集成度的双芯片分集下变频解决方案，用于手机基站、卫星通信，以及点对点微波无线电设备。

　　ADL5802 宽带有源器件可提供高线性度和适当的增益，并采用业界最小尺寸的封装。ADL5802双通道有源混频器的IIP3（三阶输入交调截点）为27dBm，单边带噪声系数为11dB，转换功率增益为1.5 dB，采用4mm×4mm LFCSP封装。对于高线性度应用来说，ADL5802在5V电源供电情况下功耗不足1W。ADL5802集成高线性度双平衡有源混频器内核和本振 （LO）缓冲放大器，可提供10 MHz ～ 6 GHz的宽动态范围频率转换。同时还具备偏置调整特性，可通过单一控制引