基于LM3478的50W DCDC升降压变换器设计方案

引言

　　现代电子技术发展很快，半导体供应商不断推出新器件，从而推动电子应用工程师的不断创新设计，以满足市场的日益需求。本文介绍的即是基于客户的需求，应用美国国家半导体公司的新型电流型PWM芯片L

　　通常称之为升降压变换器SEPIC的简单原理如下：当SW开通时，加在L1，L2上的电压均为Vin，此时Cp并在L2上，且有Cp上的电压与L2上的相等。当SW关断时，L1中的电流继续沿着Cp、D1流向Cout输出到

　　该电路是基于SEPIC拓扑、应用LM3478芯片按照客户的技术要求设计的。在该电路中，考虑到适配器的体积及储能电感磁性材料的体积，选定工作频率Fs=250KHz。

　　计算储能电感L3、L4的电感量及磁芯选择

　　首先由公式：D=Vout/(Vout+Vin)计算占空比。由于最严酷条件下的电感纹波电流是在最大输入电压下，所以D=12/(12+60)≈0.167。

　　计算储能电感l3、L4：正常情况下，L4的大小在确保最小负载电流下使电感电流连续，且输出纹波满足指标要求。为此，我们假定在20%最小负载电流下，允许有40%的峰-峰值纹波电流流过L4。

　　C1、C2为输入滤波，Q1、DZ1、DZ2、D1-1构成启动电源，L3、L4为储能电感，Q2为功率MOSFET，IC为PWM驱动芯片，R5为频率调整电阻，C3、C4、R2为反馈补偿，R3、R4为反馈分压电阻，R7为过电流取样电阻，C8、C9为SEPIC电容，R8、R9、C6、C7为吸收网络，D2为输出整流二极管，C10、C11、C12为输出滤波电容。当然要想符合EMC要求，输入端还应该有共模电感，差模电感，及X、Y等安规电容。

　　L=Vdt/di;

　　其中dt=1/FsD=1/(250103)0.167≈0.668，V为Vin在MOSFET开通时的值。因此，有如下计算：

　　L4=60(0.66810-6/0.4)=100.2μH。取100μH的标称值。由该SEPIC原理及设计经验可知，作为俩个分离的储能电感，L3的取值也为：100μH。

　　由于该电感为储能电感，因此，对磁性材料的选取要特别注意。此处选择的材料为：Magnetic公司的Kool Mu，相同性能的材料，其他公司又称铁硅铝。参数如下：

　　料号：77381-A7，黑色

　　尺寸：17.279.656.35(mm)，为环型磁芯