低功耗6管SRAM单元设计方案
表1中可以看出，在传统的6T-sRAM读/写过程中，对称结构的两个位线电压的变化是一致的，因而功耗是相同的。新型6T-SRAM单元功耗比传统单元低了很多，这是因为在读/写操作的时候，参与工作的管子数量少，并且只有一个位线参与工作，并且在写0的时候，由于位线是0，所以功耗很低。
2.4 读/写仿真
为了进一步验证新型6T-SRAM读/写功能的正确性，以及与传统6T-SRAM单元的比较，采用HSpice对两种管子进行了读/写仿真。如图4-图7所示。
新型6T-SRAM存储单元的读/写仿真表明，单个存储单元的读/写时间在0.2 ns内，符合存储器在高速状态下运行的需要。
3 结语
该SRAM单元是在0.18μm工艺下仿真的，新型SRAM采用漏电流保持技术，从而不需要刷新来维持数据，并且仿真显示功耗比较传统SRAM低了很多，读/写速度方面比传统SRAM慢了一点，但是这是在可以接受的范围内。
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