低功耗6管SRAM单元设计方案
静态噪声容限SNM是衡量存储单元抗干扰能力的一个重要参数，其定义为存储单元所能承受的最大直流噪声的幅值，若超过这个值，存储节点的状态将发生错误翻转。随着数字电路不断发展，电源电压VDD逐渐变小，外部噪声变得相对较大。如图1所示的6T-SRAM，在读操作中有一个从存储节点到位线BL的路径，当存取管开启，BL和存储节点直接相连。因此，外部的噪声很容易破坏数据，噪声容限受到前所未有的挑战。
2 新型6T-SRAM存储单元简介
针对以上问题，提出一个新型6T-SRAM存储单元结构，如图2所示。NMOS管M5和M6负责读操作，NMOS管M1，M4，PMOS管M2，M3完成写操作，读/写操作的时候只有1个位线参与工作，因此整个单元功耗减小很多。
(1)空闲模式
在空闲模式下，即读操作和写操作都不工作的情况下，当O存在Q点时，M3打开，Qbar保持在VDD，同时M2，M4是关闭的，此时Q点的数据0可能受到漏电流IDS-M2漏电堆积，从而在Q点产生一定电压，甚至可能导致Q点数据翻转，产生错误逻辑。因此要利用M1管的漏电流，主要是M1的亚阈值电流，为了这个目的，需要在空闲模式下将位线
拉到地，同时将字线WL保持在亚阈值工作的条件下，这样就可以无需刷新正确存储数据0。当1存在Q点时，M4，M2打开，在Q和Qbar之间有正反馈，因此Q点被M2管拉到VDD，Qbar被M4管拉到地，但是此时M1管是处在亚阈值条件下，因此有一条路径从VDD到
，这会导致Q点数据不稳定，甚至有可能翻转，由于流经M2的电流远远大于流经M1的电流，数据相对还是比较稳定的。另一条位线BL拉到地，在空闲模式下读路径这端漏电流很小，可以忽略。
(2)写循环
写1操作开始，WL高电平打开M1管，读控制管RL关闭，
充电使得
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