移动设备发展推动，电源管理地位日重（三）

制造趋势

　　我们也看见了设备尺寸日趋轻薄小巧，但却装入比以往更多的功能。更细小的器件尺寸可能会引发高漏电流的危险性，这是短通道效应以及不同的掺杂水平所致，而这最终会让产业无法朝更小的尺寸迈进。

　　截至目前为止，制造方面有着重大的变化，其中也包括90年代晚期切换至铜互连工艺的时期，由于铜比铝的导电性较为佳，因此可促成更小金属器件的使用，且使用较少的电力就能通电。应变硅（strained silicon）是另一大进展，其中的硅原子被拉伸超出其正常的原子间距离。增加这些原子间的距离可以减少原子的作用力，降低其对于电子通过晶体管的干扰，如此便能达成更好的活动性，进而实现更佳的芯片效能及较低的功耗。

　　我们也看到了例如高k/金属闸等新堆栈材料的出现，以及FinFET（鳍式场效晶体管）此类全耗尽晶体管（fully depleted transistors）。现在的FinFET是3D结构，在平面基板上升起，相较于同样面积的平面闸，FinFET可以提供更大的容量。通道周围的闸门能提供优秀的通路控制，如此一来，当器件处于断开状态时，能通过主体的漏电流就微乎其微。这让低阈值电压的使用成为可行的，如此便能实现最佳的切换速度及功率。

　　还有许多其他有潜力的技术蓝图。例如，Dialog与全球最大的晶圆代工厂——台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC，台积电）共同合作最先进的0.13微米bipolar-CMOS-DMOS（BCD）技术，用于在小型单芯片电源管理IC中整合先进逻辑、类比及高电压器件，以支持下一代智能手机、平板电脑及超级本。

　　BCD工艺技术代表了驱动半导体产业各领域，包括应用端、设计及工艺持续前进的创新力量。此技术在同一片晶圆上结合了类比Bipolar（B）器件、互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductors， CMOS）以及高压电晶体说扩散金属氧化物半导体（Double Diffused Metal Oxide Semiconductors， DMOS）。系统设计师乐于采用此技术，因为它能减少功率损失、电路板空间及成本。Dialog此类的IC合作伙伴正积极推动BCD，因为该技术有助于制造更好、更小及更创新的产品。同时，随着现在的BCD技术是以200mm晶圆制造，晶圆厂得以让它们几乎折旧完毕的产线得以继续贡献生产力，如此能减少终端客户的成本并产生利润，或是能拥有投资其他新兴技术的更多空间。

　　投资智慧未来

　　Dialog持续关注未来，试着去定义将持续改变产业的新兴技术。例如，我们最近对源于麻省理工学院的Arctic Sand Technologies有限公司实施一项战略性股权投资，持续将创新的电源转换技术予以商业化，以运用于不同市场，包括智能手机、平板电脑、超级本与数据中心等。

　　DC/DC电源转换器是现今电源管理集成电路的基础器件。Arctic Sand专利的TIPS（Transformative Integrated Power Solutions，转换性集成电源解决方案）技术采用一种以交换电容技术为基础的独特转换方法。该项技术允许使用较小的导电器件，除了提升效率之外，并且可以达到比竞争技术更高的整体电源密度，为便携式和数据中心应用提供显着的优势。

　　结论

　　根据产业预测，移动计算设备需求正持续增加。移动设备正从个人信息设备进化为移动计算平台，对我们的日常需求愈来愈重要。

　　电源效能正迅速成为我们这个时代的决定性问题。智能手机使用者若高度满意手机电池寿命，相较于不满意的使用者，前者再次购买同品牌手机的可能性较高。在高度满意手机电池寿命（在10分量表中选择10分）的4G智能手机拥有者中，有将近25%的人表示“一定”会再次购买来自同一家制造商的手机。相较于此，在较不满意手机电池寿命（在10分量表中选择7-9分）的手机拥有者中，仅有13%表达相同的意愿。藉由在设备中采用创新电源管理方法来克服挑战的手