Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化镓器件

全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN^®平台的系统级封装氮化镓产品系列。

新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150毫欧和480毫欧SuperGaN FET。与上一款240毫欧器件（WT7162RHUG24A）相同，两款全新器件与USB PD或可编程电源适配器控制器配对即可提供整体适配器解决方案。值得注意的是，它们还可提供更多创新功能，包括UHV谷底跟踪充电模式、自适应OCP补偿和自适应绿色模式控制等，使客户能够使用更少的器件、最精简的设计方案，更快地设计出高质量的电源产品。

伟诠电子市场推广副总裁Wayne Lo表示：“去年，我们推出了首款SiP氮化镓器件，这是伟诠电子发展历程中的一个重要里程碑。对于AC-DC电源产品市场，SiP氮化镓器件代表了一种全新的进入市场策略（Go-To-Market Strategy）。今天发布的新产品表明，我们将继续为该应用领域提供更多的器件选择，支持更广泛的产品功率级。基于 Transphorm SuperGaN平台并采用整体封装解决方案，可以为从30瓦低功率USB-C PD电源适配器到接近200瓦功率充电器的各种装置提供更易设计的高性能电源，这是 Transphorm氮化镓器件的独特之处。”

终端产品制造商想方设法开发物料（BOM）成本更低、但同时又具备灵活、快速充电、和更高功率输出的新型适配器。此外，针对许多应用场景，制造商还希望提供具有多个端口和/或多种连接类型的更为通用的充电器。而所有这些方案，产品外形都要做到更小、更轻。

Transphorm常闭型d-mode SuperGaN技术平台的主要优势包括：同类最佳的稳固性（+/-20V的栅极裕度和4V的抗扰性）及可靠性（FIT失效率<0.05），且功率密度比硅器件高50%。伟诠电子精简的SiP设计，利用了上述GaN器件优势以及自身的创新技术，打造出一款近乎即插即用的解决方案，缩小外形尺寸的同时，加快设计速度。

Transphorm全球销售及FAE副总裁Tushar Dhayagude表示：“从适配器和充电器制造商的需求考虑，SiP可以成为重要的器件选项。不仅能满足系统电源转换效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，从而在最短的时间内可设计出产品。伟诠电子此前推出的首款器件验证了SuperGaN SiP的性能和灵活性。本次发布新款器件，表明了我们两家公司在深化并实践为客户提供更多选择的承诺。”

产品规格

主要特点

目标应用和供货情况

伟诠电子 SuperGaN SiP系列特别适用在用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、头戴式耳机、无人机、扬声器、相机等移动/物联网设备等的轻薄、高性能的USB-C电源适配器。

新推出的两款器件（WT7162RHUG24B 和 WT7162RHUG24C）现已开始提供测试样品。