3D NAND，1000层竞争加速

据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。

众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。

自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯片层数上。随着3D堆叠时代的到来，在三星、铠侠、SK海力士等存储厂商的不断推动下，NAND Flash闪存堆叠层数不断被刷新。

目前，各大厂商的NAND闪存堆叠层数均已突破200层，并持续向更高层数的NAND Flash迈进，其中三星和铠侠更是将目标瞄准1000层。根据此前的消息，三星计划在2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。

NAND Flash价格回涨

受消费电子市场需求不振、市场经济逆风等因素影响，存储器产业经过了较为漫长的低迷时期。其中NAND Flash产品合约价自2022年第三季开始连续四个季度下跌，直到2023年第三季开始起涨。随后，自2023年第四季度开始，存储器市场开始逐渐反弹，NAND Flash价格也开始回涨。

市场研究机构TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。

从各品类来看，集邦咨询预估，2024年第二季度，Enterprise SSD合约价涨幅为全线产品最高，季增20~25%；eMMC、UFS、Client SSD合约价将分别季增10~15%，NAND Flash Wafer涨幅则较第一季大幅收敛，预估季增5~10%。