报告称三星 3nm 芯片良率已超过台积电

IT之家 7 月 18 日消息，根据 Hi Investment & Securities 机构近日发布的报告，Samsung Foundry 在 3nm 工艺上的良率达到了 60%，高于台积电（55%）。

报道称三星大力发展 3nm，不断提升生产工艺、提高生产良率，目前已经将良率提升到 60%，该媒体认为三星会在超先进芯片制造技术上胜过台积电。

报告中也指出三星目前在 4nm 工艺方面良率为 75%，和台积电（80%）存在差距，不过通过发力 3nm，有望在未来超过台积电。

报告中还指出由于台积电的大部分订单都被苹果预订，英伟达、高通等公司都对三星的第二代 3nm（SF3）工艺感兴趣。

IT之家此前报道，Samsung Foundry 在 SFF 2023 上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性。