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英特尔发布硅自旋量子芯片:用上EUV工艺、95%良

作者:时间:2023-06-16来源:快科技收藏

快科技6月16日消息,是各大科技公司竞争的下一个技术焦点,此前已经有多种机问世,也在研发自己的量子芯片,而且走的是硅自旋量子,使用传统的CMOS半导体工艺就能生产。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/202306/447763.htm

日前宣布推出名为Tunnel Falls的量子芯片,有12个硅自旋量子比特,进一步提升实用性,这也是迄今为止研发的最先进的硅自旋量子比特芯片,利用了英特尔数十年来积累的晶体管设计和制造能力。

英特尔发布硅自旋量子芯片:用上EUV工艺、95%良率

在英特尔的晶圆厂里,Tunnel Falls是在300毫米的硅晶圆上生产的,利用了英特尔领先的晶体管工业化制造能力,如极紫外光刻技术(EUV),以及栅极和接触层加工技术。

在硅自旋量子比特中,信息(0/1)被编码在单个电子的自旋(上/下)中。

硅自旋量子比特本质上是一个单电子晶体管,因此英特尔能够采用与标准CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑生产线类似的流程制造它。

英特尔认为,硅自旋量子比特比其他量子比特技术更有优势,因其可以利用先进晶体管类似的生产技术。

硅自旋量子比特的大小与一个晶体管相似,约为50x50纳米,比其它类型的量子比特小100万倍,并有望更快实现量产。

《自然·电子学》期刊上的一篇论文1表示,“硅可能是最有机会实现大规模的平台”。

英特尔发布硅自旋量子芯片:用上EUV工艺、95%良率

同时,利用先进的CMOS生产线,英特尔可以通过其创新的制程控制技术提高良率和性能。

Tunnel Falls的良率达到了95%,实现了与CMOS逻辑制程接近的电压均匀性(voltage uniformity)。

此外,英特尔可在每块晶圆上实现超过24000个量子点。Tunnel Falls能够形成可被相互隔离或同时操控的4到12个量子比特。

英特尔发布硅自旋量子芯片:用上EUV工艺、95%良率

接下来,英特尔将继续致力于提高Tunnel Falls的性能,并将其和英特尔量子软件开发工具包(SDK)整合在一起,集成到英特尔的量子计算堆栈中。

此外,基于制造Tunnel Falls的经验,英特尔已经开始研发下一代量子芯片,预计将于2024年推出。

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关键词: 英特尔 量子计算

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