突破摩尔定律 原子级芯片取得革命性突破

据报道，麻省理工学院的研究团队最近成功开发出了一种基于二硫化钼的原子级薄晶体管，这个突破将对芯片技术的发展产生重大影响。传统的半导体芯片是由块状材料制成，呈方形的3D结构，将多层晶体管堆叠起来实现更密集的集成非常困难。而这种原子级的薄晶体管则由超薄的二维材料制成，每个晶体管只有3个原子厚，可以堆叠起来制造更强大的芯片。

这项技术的突破将有望推动芯片技术的发展进入一个新的阶段，突破摩尔定律的天花板，为高性能计算、人工智能、物联网等领域带来重大影响。此外，这种技术还可以为柔性电子设备、可穿戴技术和智能纺织品等领域提供强大的支持，将半导体集成到衣服或笔记本等日常用品上。

A股公司中，德尔未来（002631）控股子公司烯成石墨烯有二硫化钼制备设备的技术储备，主要用于制备二硫化钼二维半导体材料。金钼股份（601958）是亚洲最大的钼业公司，二硫化钼等项目已完成环保验收，成功打通二硫化钼新线，有效支撑二硫化钼可持续发展。