RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白

现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面 。

一、破局进口品牌垄断

现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面 。

二、产品应用及特点

超高压的器件主要应用场景为音响电源、变频器电源、逆变器、DC-DC转换、工业三相智能电表、LED照明驱动等辅助电源。

产品特点：

1.新型的横向变掺杂技术、超高电压，超小内阻；

2.散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小；

3.开关速度较低，具有更好的EMI兼容性；

4.产品性能高，可实现国产替代进口。

三、产品型号匹配应用

瑞森半导体超高压MOSFET-RS9N90F产品匹配：

可替代国外品牌多个产品型号，如：意法STF9NK90Z， ON安森美FQPF9N90C。

超高压MOSFET-RS9N90F漏源击穿电压高达900V，漏极电流最大值为9A，适用于LED照明驱动电源、变频器电源、音响电源等。

RS9N90F的开启延迟典型值为50nS，关断延迟时间典型值为86nS，上升时间65nS，下降时间34nS，反向传输电容4pF，反向恢复时间550nS，正向电压的最大值为1V。其导通阻抗典型值为1.2Ω，最大功耗为68W，最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55℃到150℃，可适用于大部分环境。

瑞森半导体超高压MOSFET-RS3N150F产品匹配：

N沟道MOSFET--RS3N150F漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于逆变器、工业三相智能电表、DC-DC转换等，可以替代3N150等型号参数的场效应管。例如，在工业三相智能电表上主要运用AC 380V变频器反激式辅助电源其特点：

该MOS管VDS电压1500V，在550V电压上需留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V，故需要应用到1500V耐压的MOS管，而RS3N150F耐压VDS电压为1500V满足应用需求；

其导通电阻为典型值5.5Ω，可降低导通损耗，降低输入电源功耗；续漏极电流在25℃时最大额定值为3A，一般辅助电源功率在10几V，电流余量可满足功率需求，同时最大结温为150℃，存储温度范围均为-55℃到150℃，符合工业级温度范围，可完全适用于工业市场。

四、典型应用拓扑图

五、瑞森半导体产品推荐

RS3N150F的VDS电压是1500V，完全适合母线电压高达800V的使用场景，并留有足够的防击穿余量，同时瑞森半导体还推荐如下产品选型：

（来源：RS瑞森半导体）