传输速度高达2400Mtps，三星量产第八代V-NAND闪存

据业内消息，近期三星电子宣布已经开始大规模量产236层3D NAND闪存芯片(第八代V-NAND闪存)。

据悉，三星第八代V-NAND闪存芯片拥有高达2400MTps的传输速度，搭配高端主控使用可以让消费级SSD的传输速度达到直接越级的12GBps。

三星电子表示，第八代V-NAND闪存会提供128GB+1TB的搭配方案，具体的细则比如芯片的大小和实际密度等数据并没有做详细介绍，但是三星电子表示其拥有业界最高的比特密度。

官方表示，第八代V-NAND闪存芯片相比于现阶段相同容量的闪存芯片可提高大约1/5的单晶生产率，而且在相同良品率的情况下也一定程度拉低了成本，同时也意味着固态硬盘的价格会更亲民。

三星电子的flash产品与技术执行副总裁SungHoi Hur表示，由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的V-NAND层数，三星采用了先进的3D压缩技术减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。

而且第八代V-NAND闪存会进一步满足快速增长的市场需求，从而构成良心循环使三星电子更好地提供更多差异化的产品也是未来存储创新的基础。

今年三星推出了其第八代和第九代V-NAND产品以及第五代DRAM产品，三星电子预计到2030年会推出1000层的V-NAND。

而且现阶段三星电子正在研发上投入更多资源，并且从其当前的TLC架构过渡到四级单元的QLC架构，并以此来提高密度并启用更多层数。