罗姆发布肖特基二极管白皮书，助力汽车、工业和消费电子设备实现小型化和更低损耗！

1. 前言

近年来，随着电动汽车的加速以及物联网在工业设备、消费电子设备领域的普及，应用产品中搭载的半导体数量也与日俱增。其中，中等耐压的二极管因其能有效整流和保护电路，而被广泛应用在从手机到电动汽车动力总成系统等各种电路和领域中，半导体厂商罗姆在这些领域中已经拥有骄人业绩（图1）。

图1. 罗姆在整流二极管和功率二极管领域的市场份额

V_F（正向电压）和I_R（反向电流）是二极管的重要性能指标，它们分别会影响到正向施加时的功率损耗和反向施加时的功率损耗。“理想的二极管”是V_F和I_R为0的二极管，也就是进行整流和开关工作时完全没有功率损耗的二极管。另外，V_F和I_R之间通常存在权衡关系，因此很难同时改善。而且，在实际的二极管中，当在开关工作期间关断二极管时，会产生一些功率损耗（因为电流在trr时段内会反向流动）。

肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的V_F和trr低于其他类型的二极管，因此在整流电路和开关电路中使用这种二极管可以实现低损耗，然而由于其I_R较大，存在发热量大于散热量，最终发生热失控而造成损坏的风险。（图2）

图2. 在开关期间SBD和整流二极管的V_F、I_R比较

针对这种情况，罗姆开发出丰富的SBD系列产品群，客户可根据各种应用的需求（强调V_F还是I_R）选用产品。另外，还推出了更接近“理想二极管”的新系列产品，新产品不仅同时改善了本来存在权衡关系的V_F和I_R特性，还实现了SBD业内超高等级的trr特性。本文将概括介绍罗姆在SBD领域的行动以及罗姆各系列SBD产品的特点。

2. SBD需要具备的性能及其发展趋势

图3为SBD产品相关的市场情况示例，展示了一辆汽车中搭载的ECU数量。随着ADAS（高级驾驶辅助系统）和自动驾驶技术的发展，一辆汽车中所搭载的ECU数量与日俱增，其中所用的二极管数量也在持续增加，预计未来还会继续增加。由于汽车无法提供超出其电池和发电机能力的电力，因此制造商需要低损耗（低V_F）的二极管，并且越来越多地采用V_F和trr特性优异的SBD。而另一方面，燃油车的引擎外围电路、以及xEV的电池和电机外围电路是在高温环境中工作的，因此I_R高的SBD的热失控风险成为直接关系到可靠性的重大课题。因此，在选择SBD时，关键在于如何在V_F和I_R之间取得平衡。

图3. 一辆汽车所搭载的ECU数量演变（罗姆调查数据）

在消费电子设备中，随着应用产品的功能越来越多，电路板密度也变得越来越高，甚至密度超过车载设备，因此需要更小型和超低损耗（超低V_F）的SBD。另外，在工业设备应用中，其对高可靠性的要求与车载应用相同，而且由于应用产品的机型寿命较长，因此长期稳定供应也很重要。综上所述，身为通用器件的SBD，在不同的领域和应用中，其发展趋势大不相同，制造商在其产品开发过程中，要求一些存在权衡关系（例如更低损耗和更高可靠性、更小型和更大电流）的特性同等出色。为了满足如此广泛的需求，罗姆不断推动相应产品的开发，并建立了以垂直统合型生产体系为中心的长期稳定供应体系。在下一节中，将具体介绍罗姆的SBD产品阵容。

3. 罗姆 SBD系列产品阵容

罗姆最新的SBD产品有5个系列，客户可以根据对V_F和I_R的不同重视程度，从丰富的产品阵容中选择合适的产品（图4）。另外，每个系列都有丰富的封装阵容，客户还可以根据应用产品的性能要求选择小型封装（图5）。下页将对每种产品的特点分别展开介绍。

图4. 系列产品阵容

图5. 封装阵容

3-1.RBS系列　超低V_F（耐压：20V）

该系列的V_F最低，在主要用于正向电路中的损耗可大幅降低，非常适用于智能手机等使用电池低电压驱动的移动设备中的整流应用。

目标应用：笔记本电脑、移动设备等

3-2.RBR系列　低V_F（耐压：30V／40V／60V）

该系列为通用型产品，与相同尺寸的罗姆以往产品相比，V_F特性降低约25%。在车载应用中，正向损耗非常少，因此作为要求更高效率的汽车信息娱乐系统和车载LED灯等的保护二极管，非常受欢迎。2021年8月，封装阵容中又新增了车载用超小型PMDE封装，可满足市场对更小封装的需求。

目标应用：车载信息娱乐系统、车载LED灯、车载ECU、笔记本电脑等

3-3.RBQ系列　低I_R（耐压：45V／65V／100V）

该系列利用罗姆自有的势垒形成技术，在V_F特性与I_R特性之间取得了良好的平衡。与罗姆以往产品相比，其反向功率损耗降低了60%，因此可以降低热失控风险，非常适用于需要在高温环境下运行的引擎ECU整流应用、高输出功率LED前照灯的保护应用、以及大电流工业设备电源等应用。

目标应用：xEV、引擎ECU、高输出功率LED前照灯、工业设备电源等

3-4.RBxx8系列　超低I_R（耐压：30V／40V／60V／100V／150V／200V）

该系列产品具有超低I_R，可以降低热失控风险，非常适用于需要在高温环境下运行的xEV电池和电机相关ECU、以及燃油车引擎ECU和变速箱ECU等的整流应用。该系列支持耐压高达200V，可以替换通常在这个耐压范围使用的整流二极管和快速恢复二极管，并可以大幅降低V_F（与FRD相比，降低约11%），还有助于降低上述车载应用中的功耗。

目标应用：xEV电池管理系统、引擎ECU、工业设备逆变器等

4. 新产品：RBLQ/RLQ系列

RBLQ系列和RLQ系列新产品通过采用新技术和罗姆自有的沟槽MOS结构，与以往的平面结构产品相比，实现了更低的V_F和I_R。在采用普通沟槽MOS结构的产品中，由于结构上的原因，trr表现容易变差，而新产品两个系列的trr特性都得到了提升，并达到了与以往的平面结构产品同等级别（业界超高等级）。由于不容易发生热失控，并且可以降低开关损耗，因此新产品非常适用于用容易发热的车载LED前照灯驱动电路，以及xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。

目标应用：车载LED前照灯、xEV DC-DC转换器、工业设备电源、照明等

4-1.与以往产品相比，V_F和I_R均得到改善

RBLQ系列和RLQ系列采用罗姆自有的沟槽MOS结构，与耐压和耐受电流同等的以往产品相比，V_F降低了约15%，可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗。此外，与以往的平面结构产品相比，I_R也降低了约60%，这可以大大降低SBD最让人担心的热失控风险，从而使产品也可以用在温度条件等非常严苛的车载应用中（图6)。

图6. SBD沟槽MOS结构

4-2.实现业内超短的trr

在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构差。而RBLQ系列和RLQ系列新产品不仅降低了V_F和I_R，而且还利用自有技术，通过优化材料，实现了与平面结构同等的trr特性。例如，从图7中可以看到使用LED前照灯评估板进行装机评估时的开关损耗比较情况。在开关过程中，因V_F和trr引起的损耗比例比较高，但RBLQ系列和RLQ系列的trr损耗降低了约37%，V_F也同时降低，因此开关总损耗降低达26%，这将有助于降低车载LED前照灯驱动电路、以及xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用产品功耗。

图7. 实际装机进行开关时的损耗比较

5. 未来计划　

随着消费电子领域家电的多功能化，以及在车载设备中用来实现自动驾驶的各种传感器模块等各领域应用的发展，预计未来应用产品中搭载的二极管数量将会继续增加。另外，在工业设备和xEV等车载设备领域，由于电机性能日益提高，预计电路中的电流也会越来越大，因此需要继续增强大电流产品阵容。罗姆为了满足更小型、更大电流、更低损耗、更高性能等诸多难以同时实现的需求，一直在推进超越需求的开发。例如，作为小型且支持大电流的封装，罗姆计划增强TO-277封装（6.5mm×4.6mm尺寸）的产品阵容，并且已经开始了部分产品的量产。还有，预计200V耐压产品在xEV车载逆变器和车载充电器等应用中的需求将会迅速增加，因此罗姆已经在开发200V耐压的新产品，并计划在2022年内投入市场。未来，罗姆将继续扩充产品阵容，满足市场多样化的需求，并为日新月异的下一代车载应用实现更高性能、更多功能和更低功耗贡献力量。