东芝第三代 SiC MOS 性能提升 80%，将在 8 月下旬量产

据东芝近日官网宣布，他们的第三代 SiC MOSFET（碳化硅场效应管）计划在今年 8 月下旬开始量产。

据了解，该新产品使用全新的器件结构，具有低导通电阻，且开关损耗与第二代产品相比降低了约 20%。

2020 年 8 月，东芝利用这项新技术量产了第二代 SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET。这是一种将 SBD 嵌入 MOSFET 的结构，将其与 PN 二极管 并联放置 ，能将可靠性提升 10 倍 。

虽然上述器件结构可以显著提升可靠性，可它却有着无法规避的缺点 —— 特定导通电阻和性能指标（Ron *Q gd）会增加，从而降低 MOSFET 的性能；此外，为了降低导通电阻，第二代 SiC MOSFET 必须增加芯片面积 ，而这也会带来成本的增加。

因此，东芝加紧对该器件 结构进行完善，并据此研发了第三代 SiC MOSFET。优化电流扩散层结构，缩少单元尺寸。经实验验证，相比第二代 SiC MOSFET，东芝新的器件结构将特定导通电阻降低了 43% ，Ron *Qgd 降低了 80% ，开关损耗降低约 20%。

东芝最新公告表明，采用新器件结构技术的第三代 SiC MOSFET 将在 8 月量产 ，印证了东芝正在加紧布局 SiC 业务，并步入 IDM 模式 的正轨。

今年 Q1，东芝宣布将利用自身在半导体制造设备技术方面的优势，在内部生产用于功率半导体的 碳化硅外延片 ；并且投资 55 亿 用于功率器件扩产，包括建设 8 英寸 的碳化硅和氮化镓生产线。

东芝表示，未来这种“外延设备 + 外延片 + 器件”的垂直整合模式 ，有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。