意法半导体和MACOM成功开发射频硅基氮化镓原型芯片,取得技术与性能阶段突破

●   产品达到成本和性能双重目标，现进入认证测试阶段

●   实现弹性量产和供货取得巨大进展

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。

射频硅基氮化镓可为5G和6G移动基础设施应用带来巨大的发展潜力。初代射频功率放大器 (PA)主要是采用存在已久的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 射频功率技术，而GaN(氮化镓)可以给这些射频功率放大器带来更好的射频特性和更高的输出功率。此外，虽然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅 (SiC) 晶圆上制造，但射频碳化硅基氮化镓（RF GaN-on-SiC）终究不是一种主流半导体制造工艺，且还要考虑和高功率应用争夺SiC晶圆，这些都可能会导致其成本更加昂贵。而意法半导体和 MACOM 正在开发的射频硅基氮化镓技术可以集成到标准半导体工业中，在实现具有竞争力的性能的同时，也有望带来巨大的规模经济效益。

意法半导体制造的射频硅基氮化镓原型晶圆和相关器件已达到成本和性能目标，完全能够与市场上现有的LDMOS和 GaN-on-SiC技术展开有效竞争。现在，这些原型即将进入下一个重要阶段——认证测试和量产。意法半导体计划将在 2022 年实现这一新的里程碑。为取得这一进展，意法半导体和 MACOM 已着手研究如何加大投入力度，以加快先进的射频硅基氮化镓产品上市。

意法半导体功率晶体管子产品部总经理兼执行副总裁 Edoardo Merli表示：“我们相信，这项技术的性能水平和工艺成熟度现已达到可以挑战现有的 LDMOS和射频GaN-on-SiC的程度。我们可以为无线基础设施等大规模应用带来成本效益和供应链优势。射频硅基氮化镓产品的商业化是我们与 MACOM 合作的下一个重要目标，随着合作项目不断取得进展，我们期待着释放这一激动人心的技术的全部潜力。”

MACOM 总裁兼首席执行官 Stephen G. Daly 表示：“我们推进硅基氮化镓技术商业化和量产工作继续取得良好进展。我们与意法半导体的合作是我们射频功率战略的重要组成部分，相信我们可以在硅基氮化镓技术可以发挥优势的目标应用领域赢得市场份额。”