东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/202204/432754.htmTPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%，后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡（*2）和两个电荷特性（*3），实现了优异的低损耗特点。此外，开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低，有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。有两种类型的表面贴装封装可供选择，分别为：SOP Advance和SOP Advance (N)，后一种更受欢迎。东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE型号外，现在还推出了高精度的G2 SPICE型号，可以准确地再现瞬态特性。
东芝将扩大其功率MOSFET产品阵容，通过减少损耗来提高设备的供电效率，帮助降低功耗。
注：
(*1) 截至2022年3月的东芝调查。
(*2) 与目前的产品TPH1500CNH（U-MOSVIII-H系列）相比，该产品的漏源极导通电阻x栅极开关电荷提高了大约20%，漏源极导通电阻x输出电荷提高了大约28%。
(*3) 栅极开关电荷和输出电荷
应用领域
通信设备的电源
开关电源（高效直流-直流转换器等）
特点
优异的低损耗特性。
（在导通电阻和栅极开关电荷与输出电荷之间进行权衡）低导通电阻：RDS(ON)=9.0milliohms（最大）@VGS=10V
通道温度额定值高：Tch（最大）=175C
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