ST BCD制程技术获颁IEEE里程碑奖 长跑35年第十代即将量产

意法半导体（ST）宣布，电机电子工程师学会（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半导体IEEE里程碑奖，表彰ST在超级整合硅闸半导体制程技术领域的创新研发成果。ST的BCD技术可以单芯片整合双极制程高精密模拟晶体管、CMOS制程高性能数字开关晶体管和高功率DMOS晶体管，满足高复杂度、大功率应用的需求。多年来，BCD制程技术已赋能硬盘驱动器、打印机和汽车系统等终端应用获得重大技术发展。

在意法半导体Agrate工厂的实时／在线揭牌仪式中，IEEE意大利分部人道主义活动委员会协调人暨前秘书Giambattista Gruosso，以及意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery共同揭开了IEEE里程碑牌匾。

ST率先采用单芯片整合双极型晶体管、CMOS晶体管和DMOS晶体管（BCD）的超级整合硅闸极制程，解决复杂、具大功率需求的应用设计挑战。首个BCD超级集成电路L6202可控制最高60V-5A的功率，开关频率300kHz。随后汽车、计算机和工业自动化也逐渐采用这项制程技术，让芯片设计人员能灵活、可靠地以单芯片整合功率、模拟和数字讯号处理电路。

IEEE于1983年建立了里程碑计划，表彰独特的产品、服务或具影响力的论文和专利所带来的技术创新和卓越成就。每个里程碑奖都认可一项重要的技术成就，必须在IEEE提出的技术领域具备至少25年的发展，而且至少具备地区性的影响力。目前IEEE在全球审核并颁发了约220个IEEE里程碑奖。

80年代初期，意法半导体工程师开始寻找可靠的方法来解决各种电子应用问题，首先在一颗单芯片上整合了异质晶体管和异质二极管，随后更着眼于多个细分市场的客户需求，成功在数字逻辑的控制下提供数百瓦的电力，让控制逻辑技术得以顺利遵循摩尔定律。目标组件还将支持精密模拟功能，并最大程度地降低功耗，无需使用散热器。

这些研发的最终成果就是新的整合硅闸技术BCD（双极、CMOS、DMOS），它利用复杂的联机方法在单个芯片上整合二极管、双极线性晶体管、复杂CMOS逻辑和多个DMOS功率晶体管。BCD首个芯片是L6202马达全桥驱动器，电压为60V，电流1.5A，开关频率300kHz，达到所有设计目标。

自推出BCD制程至今，ST已售出多达400亿颗硅闸多功率BCD组件／芯片，第十代BCD技术也即将开始量产。在欧洲和亚洲，这项BCD技术被广泛用于车子用系统、智能型手机、家电、音频放大器、硬盘、电源、打印机、微型投影机、照明、医疗设备、马达、调制解调器、显示器等。

意法半导体总裁暨执行长Jean-Marc Chery表示：「到现在，已经过去35年并经历了九次技术迭代，我们产出500万片晶圆，并售出400亿颗芯片—仅去年一年就销售近30亿颗芯片。能够得到此一IEEE里程碑奖就意味着ST的BCD技术将被写进推动人类发展的科技史册，对此，我们的自豪无以言表。」

意法半导体IEEE里程碑奖的牌匾将放置于ST在意大利米兰市近郊之两个工厂的大门口，包含Brianza的Agrate工厂和米兰的Castelletto，两间都曾经承担多硅闸多功率BCD开发运作。