11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 闪存技术，该技术具有 176 层存储单元堆叠。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/202011/420116.htm新的 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，上一代 3D NAND 则是 128 层设计，算是美光的过渡节点。而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。此外，虽然升级到了 176 层，但仍落后于三星。美光方面并未公布太多关于该技术的信息。
176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s，高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s。与 96L NAND 相比，读（写）延迟提高了 35% 以上，与 128L NAND 相比，提高了 25% 以上。与使用 96L NAND 的 UFS 3.1 模块相比，美光芯片的总体混合工作负载改善了约 15%。
IT之家了解到，美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。
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