电源设计，进无止境

电源管理的前沿趋势

我们矢志不渝地致力于突破电源限制：开发新的工艺、封装和电路设计技术，从而为您的应用提供性能出色的器件。无论您是需要提高功率密度、延长电池寿命、减少电磁干扰、保持电源和信号完整性，还是维持在高电压下的安全性，我们都致力于帮您解决电源管理方面的挑战。德州仪器 (TI)：与您携手推动电源进一步发展的合作伙伴 。

1   功率密度：提高功率密度以在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能	2   低 IQ：在不影响系统性能的同时，降低静态电流以延长电池寿命和货架寿命
3   低 EMI：最大限度地减少干扰，以降低系统成本并快速满足EMI 标准	低噪声和高精度：增强功率和信号完整性，以提高系统级保护
5   隔离：通过高压隔离栅传输信号和/或电力，以提高较高工作电压下的安全性和可靠性

功率密度

在更小的空间内实现更大的功率，从而以更低的系统成本增强系统功能

随着人们对电源的要求越来越多，电路板面积和厚度日益成为限制因素。电源设计人员必须向其应用中集成更多的电路，才能实现产品的差异化，并提高效率和增强热性能。使用 TI 的先进工艺、封装和电路设计技术，现能以更小的外形尺寸实现更高的功率等级。

器件产热更少

• 业内先进的电源处理节点电压小于 100V

• 600V 氮化镓 (GaN) 器件可提供出色的开关性能比较效率提升对温升影响的热图像。

比较效率提升对温升影响的热图像。

散热型封装

• HotRod™ 封装

• 支持散热垫的增强型 HotRod QFN 封装

HotRod^TM 封装不仅省去了 接合线，还能保持出色的热性能。

拓扑和电路支持更小的无源组件

• 多级转换器拓扑

• 先进的功率级栅极驱动器支持更小磁性元件的多级拓扑。

支持更小磁性元件的多级拓扑。

通过集成，可最大限度地减小寄生效应并减少系统占用空间

• MicroSiP 3D 模块集成

• 具有低环路电感的 GaN 和驱动器多芯片模块(MCM)

MicroSiP 封装支持 3D 集成。

功率密度的关键产品分类：电池充电器IC，降压-升压和反相稳压器，氮化镓（GaN）IC，隔离偏置电源，隔离栅极驱动器，LED驱动器，线性稳压器（LDO），多通道 IC（PMIC），离线和隔离DC / DC控制器 与转换器，电源开关，降压型稳压器，升压型稳压器，USB Type-C和USB Power Delivery IC

GaN + 栅极驱动器 MCM 可减小寄生效应，并提高功率密度 。

低静态电流 (I_Q)

在不影响系统性能的同时，延长电池寿命和存储时间

在电池供电的系统中，为了在空载或轻负载条件下实现高效率，需要电源解决方案在保持超低供 电电流的同时，对输出进行严格调节。借助 TI 的超低 I_Q 技术和产品组合，您可在下一个设计中实现低功耗，并最大限度地延长电池运行时间。

低待机功耗

●   使用超低泄漏元件和新型控制拓扑，延长电池运行时间

快速唤醒和低待机功耗。

快速响应时间

●   通过快速唤醒电路和自适应偏置增强系统功能，以提高动态响应时间，同时保持超低的静态功耗

与同类产品相比，TI 产品具有超低的 I_Q 和出色的瞬态响应。

需要低 IQ 特性的主要产品类别：电池充电器 IC、降压/升压和反相稳压器、线性稳压器 (LDO)、电源开关、串联电压基准、并联电压基准、降压稳压器、升压稳压器、监控器和复位 IC

S外形小巧

●   借助 TI 的专利电路技术，可实现支持应用的裸片和封装尺寸，且不会影响静态功耗

不影响 I_Q 的超小型封装。