低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---  ，10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET^®第四代  导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK^® SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。

日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC，栅极电荷与导通电阻乘积，即开关应用中MOSFET的重要优值系数 (FOM) 为185 mW*nC，达到同类产品最佳水平。

器件是输入电压12 V电路的理想选择，适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 OR-ing功能，以及电信设备、服务器、工业PC和机器人的电机驱动控制。SiRA99DP减少并联器件数量，换句话说，加大单个器件电流，从而提高功率密度，节省这些应用的主板空间。此外，作为p沟道MOSFET，器件不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。

这款MOSFET经过RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

SiRA99DP现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周，视市场情况而定。