积塔半导体上海临港新厂投产

华大半导体旗下全资子公司上海积塔半导体有限公司（GTA Semiconductor）临港新厂今天（6月30日）正式投产。成立于2017年的积塔半导体之“积塔”乃积沙成塔之意。2018年8月，总投资359亿元在上海临港开建积塔半导体特色工艺生产线，专注模拟电路与功率器件。

2018年10月，积塔半导体与上海先进半导体合并，使积塔半导体拥有了临港和漕河泾两个厂区。而借助上海先进在模拟、高压、功率器件制造研发几十年经验，为积塔半导体特色工艺生产线市场竞争力的确立打下了扎实基础。

临港产能布局致力于工业控制和汽车电子等高端应用的特色工艺生产线：8英寸生产线6万片/月，12英寸特色工艺生产线3,000片/月，6英寸SiC生产线5,000片/月，目标是显著提升中国功率器件（IGBT）、模拟电路、电源管理和传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。计划于2020年开始一阶段8英寸特色芯片工艺生产线投产，于2023年开展二阶段12英寸特色芯片工艺生产线投产。

漕河泾厂区拥有5英寸、6英寸、8英寸产线各一条，年产等值8寸晶圆约78万片，产品主要应用在工控、汽车、电力、能源等领域。上海先进拥有近30年的模拟、高压、功率器件制造研发经验，涵盖BCD、HVCMOS、BiCMOS等工艺技术。

Power IC 技术工艺平台符合汽车电子高可靠性和安全性标准要求的BCD工艺平台；其IGBT工艺平台，2004年5月生产了国内第一片IGBT2-1200V合格芯片，奠定了国内生产IGBT领先地位的基础，后续重点开发600V/1200V Trench IGBT。TVS 特色工艺技术，已形成系列低压/超低电容/低漏电TVS特色制造工艺。MOSFET工艺技术平台，现已形成包括平面MOSFET、Trench MOSFET和Super-Junction MOSFET等在内的多种类MOSFET工艺平台，同时正在开发中低压屏蔽栅结构MOSFET（SGT MOSFET）工艺平台。SiC工艺技术平台，1200V JBS已处于开发阶段，后续650V JBS和1200V/650V Planner/Trench MOSFET在计划中。