GaN材料的优势和EPC的技术产品

EPC（宜普电源转换公司）是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，率先推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。近日，电子产品世界的记者访问了EPC公司的相关负责人，请他们介绍了GaN材料的优势及EPC产品。

问：与当下常用的Si MOSFET功率器件相比，GaN器件具有哪些优于MOSFET 的特殊材料特点？

答：与MOSFET和IGBT相比，硅基氮化镓（GaN）晶体管具更快速的开关速度，约比前者快10倍，比后者快约100倍。这种高频特性，使其可用于许多新的应用中，如4G/LTE基站的RF包络跟踪技术、自功驾驶汽车、机器人、无人机、安保系统及无线电源应用的激光雷达系统。

此外，与硅MOSFET相比，氮化镓晶体管在体积上要小得多，约比硅MOSFET小5至10倍。这样，设计人员就可以显著地提高其设计的功率密度。

使用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）和集成电路，设计人员可降低传导损耗、开关损耗、电容损耗，还可降低驱动功率，减小器件的体积和降低成本。采用基于氮化镓材料的器件，可提高产品的性能及降低成本，这一切都意味现在该是创新功率设计师采用GaN器件的时候了。

问：贵司的GaN器件及技术的市场前景如何？

答：利用GaN优异性能的应用继续扩展，同时，GaN用户的知识基础不断拓宽。目前，全球我们已经可以看到，GaN使能的自动驾驶汽车行驶在路上。氮化镓场效应晶体管和集成电路大大改善了面向高速、节能的包络跟踪供电的数字通信。此外，大面积无线电源的出现，无线世界的梦想可进一步得以实现。

此外，在EPC最新一代场效应晶体管和新型集成电路跑赢大市的背景下，GaN技术继续发展，同时，该技术在成本上与硅基产品相约。产品具备优异的性能并加上其极具竞争能力的定价，激励传统上保守的设计工程师开始在不同的应用中使用GaN器件，包括DC-DC转换器、AC-DC转换器及自动驾驶汽车等应用。目前的趋势已经看到，新型48 VIN  DC/DC供电（隔离型和非隔离型）在高端计算和自动驾驶汽车应用采用了EPC最新的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。

氮化镓器件可以大大提升电源转换系统的性能，是基于它的优势——它在相同的衬底上可以同时集成功率级和信号级器件。在过去的数年间，EPC（宜普公司）努力不懈地开发出客户专用的GaN集成电路。当推出更复杂的基于单片GaN集成电路的解决方案后，其电路性能比硅基解决方案更为优越，而且对于电源系统工程师来说，采用氮化镓场效应晶体管，更容易完善其设计。