宜特晶背FIB电路修补能力突破7奈米工艺

　　随半导体产业朝更先进工艺 发展之际，宜特电路修补技术(IC Circuit Edit)检测技术再突破!宜特今(3/15)宣布，宜特通过先进工艺 客户肯定，IC芯片背面(Backside，简称晶背)FIB电路修补技术达7奈米(nm)工艺 。

　　宜特针对IC设计业者为何须进行电路修补进行说明。由于即使电路仿真软件不断地提升演进，仍难以100%来确保芯片的设计及布局正确性，一旦发现电路瑕疵只能再次进行光罩改版;然而光罩价格不斐，且重新下光罩后，等待修补过后的芯片时间通常超过一个月。因此，多数IC设计业者，会选择进行IC电路修补，只需几个小时内即可完成修补，确保电路设计符合预期，并降低时间及金钱的成本耗损。

　　宜特表示，随着摩尔定律，半导体工艺 从1微米(um)、0.5微米(um)、0.13微米(um)不断微缩到奈米(nm)等级，如此先进工艺 的电路修补，考验FIB实验室的技术发展及应用能力。特别当工艺 来到16奈米(nm)以下的工艺 ，包装型式多数为覆晶技术(Flip Chip)，因此FIB电路修补就必须从晶背来执行，整体困难度也随之增加。

　　宜特进一步指出，7奈米(nm)先进工艺 的晶背电路修补，有两个挑战。第一，晶体管密度倍增：每平方毫米密度约是16nm工艺 的3.5倍，要穿越遍布于底层的晶体管进行修补困难度将大幅度提升;第二，薄且小的间隙：7奈米(nm)工艺 的金属与介电层的间隙、宽度、厚度，多为40奈米(nm)或以下，面对薄且小的工艺 ，如何精准定位目标、清楚辨识电路及避免过度曝露金属，更是修补技术能力重要关键。

　　宜特表示，宜特1994年成立，从IC芯片的FIB电路修补起家，2011年即提供40/28奈米(nm)先进工艺 电路修补技术，2015年时完成20/16奈米(nm)芯片正面的电路修补技术，并于2016年挑战完成16奈米(nm)的IC 晶背(Backside)FIB电路修补技术。2018年完成12奈米(nm)修补。

　　今年，宜特FIB电路修补技术再突破，成功完成7奈米(nm)工艺 的back-side电路修补，协助先进工艺芯片设计业者在电路验证、侦错、失效分析上更直接、灵活且快速的选择，加速产品上市时间(Time-To-Market)。

　　图说:宜特FIB电路修补技术各阶段里程碑