中天弘宇：攻克核心设计缺陷 重建NOR闪存新生

闪存是当今数据存储的重要介质之一，主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展，相比于NAND技术的快速演进，NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前，因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。经过中天弘宇集成电路有限公司的潜心研发，NOR闪存的应用也许将重获新生。 

“我们经过了近十年的研发积累，完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新，也可以说是一个完全的颠覆。我们沿用了整个NOR的架构，但和英特尔最早发明的NOR完全不是一回事，我们有自己完整的知识产权和专利体系。” 中天弘宇集成电路有限公司执行董事长赵泾生先生的开场白显得非常自豪，“我们对NOR闪存架构设计进行了全新的改进，从而克服了固有的设计缺陷，这点连Intel都非常震惊，通过我们的架构设计完全可以让NOR闪存进入到65nm甚至28nm以下的工艺。” 

相比于更适合大容量应用的NAND闪存，NOR闪存的读取速度要快得多，非常适合芯片内的存储应用，但限于工艺制程，NOR闪存的应用市场比起千亿级的NAND闪存要小得多，很多芯片内还在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技术突破将让NOR闪存变得更具竞争力，通过取代DRAM+NAND的方式可以为芯片带来更高读取速度和更低的内存读取功耗，而后者现在已经成为芯片整体功耗中非常关键的一环。难怪赵泾生先生感叹，“通过解决了寿命和工艺两大问题，摆在我们面前的将是千亿美元规模的未来的NOR市场！” 

如此具有突破意义的技术创新将会带来哪些产品的创新? 赵泾生先生介绍中天弘宇目前主要的工作有两个方面，一个是继续优化NOR内存的设计，并通过和代工厂的合作进行试生产，从而提供给部分客户成品的NOR闪存进行测试和设计选用，未来希望能够广泛应用到客户的设计中。另一方面，为了给更多对此产品持有怀疑态度的客户展示NOR产品的强大性能，中天弘宇研发了一款ARM架构的MCU，其核心特点就是通过选用自己的NOR闪存能够把电压从1.65V降到1V，从而大幅降低MCU的功耗，实现性能的全新突破。 

光有产品并不是中天弘宇集成电路有限公司的全部计划，他们未来还计划推出各种专利授权的模式和各种不同的客户合作。，赵泾生先生表示，“我们将采取多种合作方式推广NOR闪存技术，不仅推出各种产品，而且还可以对客户进行专利授权和共同开发等方式，让更多客户通过介入设计环节进行产品的定制化创新，带来更多的竞争优势”。

 赵泾生先生在论坛上还透露了中天弘宇的爱国情怀，“我们中国公司攻克了NOR闪存的技术缺陷并掌握了核心技术专利，我们也希望将NOR闪存的生产工艺专利留在中国，因此我们选择的是中芯国际和华虹宏力两家代工厂进行工艺开发合作。通过和上下游合作伙伴一起进行制造和工艺攻关，迈出中国闪存更大的一步，提升我国芯片自主化水平。”

我们真的可以自豪的说，中天弘宇的突破创新让未来的NOR闪存的产业主导权将全面掌握在中国企业手中，届时中国的IC设计产业将会比国外竞争对手抢占更高的NOR闪存设计先机。