新闻中心

EEPW首页 > 元件/连接器 > 业界动态 > 松下:力推阻容元件与开发工具,开关器件X-GaN效率更高

松下:力推阻容元件与开发工具,开关器件X-GaN效率更高

作者:王莹时间:2016-11-14来源:电子产品世界收藏

  被动元件展区,位于德国的器件解决方案部门被动元件团队产品市场经理Mustafa Khan介绍了electronica期间刚刚问世的导电性聚合物混合铝电解电容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更优,例如比ZC系列更高的容量和高纹波电流。

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/201611/340165.htm

  ZK和ZC产品在125C下可工作4000小时。三种类型产品都有更低的ESR(等效串联电阻)和LC,可用于LED、汽车、电力电子、电信等场合。

  集团汽车&工业系统公司介绍了其网上工具--LC Simulator,可加速汽车ECU(电控单元)电路工程师设计。该工具提供电感器和电容器的结合方案,是噪声滤波器电路。推荐使用的松下电感器和电容器都采用SMD(表面贴装器件),尺寸更小,同时相对于过去的针脚型产品,适合SMT(表面贴装技术)设备的大规模操作。

  松下展位上还有刚刚面市的(氮化镓)高频和高可靠的电力开关方案。来自日本京都的松下半导体解决方案公司市场部销售推广团队高级协调员松本成典介绍说:通常的Si器件最高达到96%的转换效率,而GaN可达到99%的效率,可见GaN损耗电阻(Rdson)非常低。耐压可达600V,适合工业与汽车应用,诸如超紧压的AC适配器,以及机电一体化设备的马达驱动单元。

  通常认为GaN制造成本较高,但是经过技术革新,已达到客户能够接受的范围之内。除了GaN,松下也有SiC产品。相比SiC,GaN与SiC有类似的功能特色,但有更大的成本降低潜力,因为GaN是在Si衬底上生产出来的,比SiC衬底成本更低。



关键词: 松下 X-GaN

评论


相关推荐

技术专区

关闭