英特尔发布14nmFinFET工艺Xeon处理器和使用3D NAND的SSD
英特尔于2016年4月1日发布了服务器用微处理器Xeon的新产品以及企业级SSD的新产品。两种类的新产品都容易实现SDI(软件定义基础架构)，能轻松构建合适的云环境等。
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/201604/289259.htm此次发布的MPU是面向中端服务器的“Intel Xeon Processor E5-2600 v4系列”(开发代码：Broadwell-EP)，利用14nm FinFET工艺制造。与利用22nm FinFET制造的上一代产品“Intel Xeon Processor E5-2600 v3系列”(开发代码：Haswell-EP)相比，强化了性能等。
具体来说，每个插槽的CPU内核数/线程数量由最多18/36增至22/44;末级缓存容量由45MB增至55MB;支持的的DDR4内存速度也更高，上一代产品最高为DDR4-2133，而新产品达到DDR4-2400。
SSD新产品有两个系列，分别是“Intel SSD DC P3320/P3520系列”和“Intel SSD DC D3700/D3600系列”。前者在英特尔SSD中首次采用了3D NAND，其中，P3320的性能是SATA连接的现有产品的最高5倍。
D3700/D3600是英特尔SSD中首款支持双端口的产品。是PCI Express连接的SSD，符合NVMe(Non-Volatile Memory Express)标准。以D3700为基础构建的系统性能最高可达到现在市场上的双端口SAS的6倍。
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