睡觉晶体介绍及其与DLD的关系
H.晶体DLD的γ比值
当我们随机抽测晶体时，我们是否可测试到晶体目前的状态是怎样的?是“睡眠”，是“苏醒”，还是“半睡，半醒”呢?又或者，有没有某些测试方法可更有效，可靠地检测睡觉晶体? 要回答这些问题实在不容易
以求解决问题，一些晶体工程师尝试设计了一个方法:测试晶体于不同的激励电平的电阻之比例，而非电阻变化的绝对值。
这种测量的方法是比较晶体的电阻比例和晶体的频率比例，关系是:
γ12 = (第一次测试的等值串联电阻/第二次测试的等值串联电阻)令设定限度
γ13 = (第一次测试的等值串联电阻/第三次测试的等值串联电阻)令设定限度
(第一次测试的Fr一第二次测试的Fr ) 设定限度
(第一次测试的Fr一第三次测试的Fr ) 设定限度
亦有一些工程师修改了上述的方法，采用了在最大、最小激励电平之间，多个测试点的晶体电阻和频率的变化比。
详情请参看国际电工委员会IEC 444-6号文件。
这类方法至今仍在晶体行业中试用，研究及讨论，但至今仍米有定论到底那一种规格/方法是最终以及最好。
更复杂的是军)Il及民)Il晶体对品质及成本的要求都不一样，较难厘定统一标准。
KH1200兀网络测试系统可以提供一个比较方便的)Il户界面，给晶体工程师提供研究这些方法的手段。
I．“睡觉”晶体的定义——“睡觉”和DLD的关系
民用晶体的频率和电阻随激励的变化而变化是避免不了的。有些比较小，比如小于1欧姆;有些变化则较大，比如:几百、几千欧姆，甚至乎在专用的晶体测量仪器上都不振荡或是不稳定“Unstable。
究竟不好DLD的晶体会否“睡觉”呢?又或DLD有多差劲才会“睡觉”呢?还是，其它……？
粗略而言，“睡觉”晶体可定义为晶体有不重复的DLD特性而又在应用的振荡线路内不能工作于:
振荡线路正常工作时的激励电平，或低于正常工作的激励电平五至十倍的电平。
这个定义，在原理上是对的，但较依赖每一应用线路，故较难令所有晶体用户明自。
遗憾的是在晶体行业，仍未有对睡觉晶体一个清楚的定义。作为晶体测量仪器的制造商，科研公司将尽力提供好的仪器助您分析问题。KH-1200兀网络测试系统钊一对DLD问题采111了最好测量算法，以助这类问题的解决。
J．晶体的测量
基于上述对晶体DLD的不可重复特性的分析讨论，在测试晶体时，应注意以下的问题:
a. DLD的测试:
为了消除测量仪器误差带来的影响:
不要测试DLD-dFL＞或DLD-dRL…等等。
晶体低于100 MHz时，测试DLD-d
Fr，和DLD-dRr，和
晶体高于100 MHz或以上时，测试DLD-dFs，和DLD-dRs
b. 复测以检验测试结果(包括所有其它参数):
当重新再次测量晶体的结果来复检，请留意晶体在第一次测试时，可能己被激活。最好将晶体放几天再重新测试。
C 不良品分析:
当进行不良品分析时，应注意“老化率”差的晶体其参数也会随时间的变化而变化。但是，“老化率”不好的晶体，是不会有被外界作用而激活的现象。有些晶体可能不好的原因可能有两种情况:一是老化性能差;一是晶体DLD性能差。
d. Fs稳定”，FL不稳定”的晶体:
有些晶体当测试FL时，Unstable，但是，当测试Fs或Fr时，有能够稳定振荡。这类情况大都是晶体的DLD问题。当遇到这类问题，可用KH1200的DLD图形扫描功能，便可得到这类晶体的DLD特性(注意以上的b点)。本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/194473.htm
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