如何突破EDA功率的瓶颈

要点:

1,虽然每个小组可以优化局部功耗，但单个团队不可能创建出一个低功耗设计。反之，任何一个小组都可能摧毁这种努力。

2,功率估计是一种精确的科学。但是，只有当你拥有了一个完整设计和一组正确的矢量后，这种概念才为真。

3,对任何问题而言，处理器通常是能效最低的方法，但因为它们具备了功能多重性，一般可以用最小面积获得实现。

4,电源分配网络应能够在不损及电压完整性的情况下，维持负载。

过去十年来，功率已经成为一个关键的设计考虑，并在工程师设计与验证系统方面带来了一些巨大的挑战。物理学不再提供免费便车。

功率是能量被消耗的速率，这在十年前还不是热门，但今天已是一个重要的设计考量。系统的能耗会带来热量、耗尽电池、增加电能分配网络的压力，并且加大成本。移动计算的发展最先推动了对降低能耗的期望，但能耗的效应现在已远远超出这个范围，可能在业界带来一些最大的结构性变化。对于服务器农场、云计算、汽车、芯片，以及依赖于能源获取的泛在式传感器网络，这都是一个关键性问题。

突然改变的原因是，物理学已把工艺技术带到了90nm以下尺度。但是，随着结点尺寸越来越小，电压降低，从而造成功率的相应下降。通常，即使开发人员增加了更多功能，功率预算也会保持不变。在更小尺度下，电压的缩放更加困难，无法维持。当电压接近于阈值电压时，开关时间就会增加。为补偿这一问题，设计人员会降低阈值电压，但这样做显著增加了泄漏电流和开关电流。

设计流程中的每个阶段都对功耗有影响，从软件架构到器件物理。虽然每个小组都可以做局部的功耗优化工作，但没有一个团队可以单独创建出一个低功耗设计。反之，任何一个团队都可能摧毁低功耗的努力。这种状况就产生了一种对协同与交叉学科工具的新需求。功率问题不再止于芯片。它们遍及互连结构、电路板与系统设计、电源控制器等诸方面。当前的EDA工具并非按功率概念而建立，这意味着设计人员要采用改进型方法，而不是从头开始的新方法。

物理原理的角色

一只芯片消耗的功率是开关(或动态)功率和无源(或泄漏)功率之和。功率的动态成分源于设计的容性负载。当某个线网从0转换到1时，这个成分通过一个PMOS晶体管充电。从电源获得的能量等于容性负载与电压平方的乘积。系统将这个能量的一半存储在电容中；另一半则耗散在晶体管上。对于从1至0的转换，不会从电源获得更多能量，但电荷要耗散在NMOS晶体管上。假设结点以频率F变化，则动态功率为FCLVDD2，其中，CL是容性负载，VDD是电压。虽然也存在其它形式的动态功率，但它们要小得多。

由于电压是平方项，因此降低电压有相当显著的效果。不幸的是，性能也与电压相关，因为增加电压会增加栅极的驱动VGS-VT，其中VGS是栅源电压，VT是阈值电压。使用较陈旧的技术时，泄漏功率并不明显。但随着器件尺度的减小，很多区域中的泄漏变得更加显著，包括栅极氧化物隧穿、亚阈值电压、反偏结点、栅极导致的漏极泄漏，以及因热载流子注入而产生的栅极电流等。

二氧化硅是常用的绝缘材料。在低厚度水平下， 电子可以隧穿它。这种关系是指数型的，意味着厚度减半，泄漏增至四倍，在晶体管尺度降到130nm以下之前，这还不是一个问题。用高k电介质代替二氧化硅可以提供相近的器件性能，获得更厚的栅级绝缘体，从而降低了这个电流。

晶体管有一个栅源阈值电压，低于这个电压时，通过器件的亚阈值电流就会呈指数倍下降。当降低电源电压以减少动态功耗时，阈值电压也减小，从而使栅极电压摆幅低于器件关断的阈值。亚阈值传导会随栅极电压呈指数式变化。

在扩散区和阱之间，或在阱与基材之间的一个反偏构造，会产生小的反偏结泄漏。在MOS晶体管漏极结上的高电场效应会产生栅极导致的漏极泄漏，这通常要用制造技术来处理。栅极电流泄漏的原因是短沟道器件的阈值电压漂移，并与器件中的高电场有关。对这个效应的控制主要也是靠制造技术。

设计人员要在动态功耗和静态功耗之间做一个折中。降低电压会减小动态功耗，但增加了静态功耗。我们来看一只手机内的典型芯片。当器件工作时，泄漏要占所消耗功率的大约10%；其它90%是动态功耗。但当手机处于待机模式时(可能占到总时间的90%)，芯片中的动态功耗就很少。因此，尽量减小两种功耗有着相同的重要性。

各种器件的功耗方面在持续地改进。例如，在相同频率下，三星的28nm低功耗工艺比45nm低功耗工艺的动态功耗与待机功耗都减少了35%，与采用45nm低功耗的系统单芯片设计相比，28nm工艺在相同频率下的动态功耗降低了60%。台积电28nm高性能低功耗工艺的待机功耗要比其40nm低功耗工艺低40%以上。同时GlobalFoundries公司为其28nm结点提供了三种功率水平(图1)。

图1，台积电的28-HPL工艺待机功耗较40-LP工艺低40%以上。而Global Foundries则为其28nm结点提供了三种功率水平