英飞凌推出新一代MOSFET节能器件
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英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前发布应用于计算机、电信设备和消费电子产品的直流/直流变换器的新一代功率半导体产品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N沟道MOSFET家族可使标准电源产品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在导通电阻、功率密度和门极电荷等主要功率转换指标上达到业界领先水平。
许多电源产品，如用于服务器、笔记本电脑、等离子或液晶电视以及游戏机的电源产品，为了满足节能和降低系统功耗的需求，需要更高的能源效率。比如，在美国，电源将110V标准交流电压转换成电子设备子系统所需的直流电，大约需要消耗6%的电能。在工作模式下，约有10%至20%的电能以热能形式被浪费。
作为全球功率半导体领先厂商，（IMS Research市场研究公司，2006年9月），英飞凌设计出了专门用于提高低压电源转换器性能的OptiMOS3产品家族。该产品家族与前一代产品相比，通常可使能源效率提高1%至1.3%。这种提升幅度看似不大，但从技术的角度讲是很难实现的，它可以实现很大的节能量。如果全球1,200W服务器供电系统的能效都提高1%，全年即可节省约360兆瓦的电量，相当于一个传统发电厂的发电量。
“OptiMOS3产品家族不仅能帮助电源设计者实现未来系统设计的功率要求，而且有助于节能。”英飞凌公司电源管理和供应业务部高级主管Andreas Urschitz指出，“能效提升，开关特性改善，功率密度更高，可靠性更强，这些不仅可以提高电源解决方案的性能和能效，还可以降低成本。”
借助OptiMOS3的出色特性，电源制造商只需利用较少的器件，即可获得理想性能，使直流/直流转换器通常所需的MOSFET数量降低33%。英飞凌还为该器件采用了全新的高性能Shrink SuperSO8(S3O8) 3mm X 3mm 封装，这将使转换器系统设计中所需的MOSFET板载空间减小60%。
除了可开发小型直流/直流转换器之外，OptiMOS3器件还可用于提高给定标准尺寸的电源的输出功率。此外，OptiMOS3还可延长笔记本电池的使用寿命，降低服务器和电信系统的能耗。
利用N沟道OptiMOS3工艺制造的器件具备业界最低的导通电阻（RDS（ON））、超低的门电荷以及其它使器件具备独特性能的特性。例如采用SuperSO8封装的OptiMOS 3 功率MOSFET最大额定导通电阻仅为1.6mΩ（毫欧），比最接近的同类器件约低30%。低导通电阻最大程度地减少了传导损耗和导通功率消耗，提高了功率密度。
较低的门极电荷使得OptiMOS 3器件易于驱动，因此可以使用成本较低的驱动器。此外，优值系数（FOM）的提高使得驱动器的负荷降低30%，大大降低了驱动器工作温度，在400kHZ开关频率条件下，与最出色的同类产品相比，降幅约达10摄氏度，从而降低了热能消耗。
与业界领先的OptiMOS 2相比，全新的OptiMOS 3 在多个方面都实现了重大改进，包括导通电阻降低30%，优值系数提高30%，同时与OptiMOS 2相比封装（S308）尺寸减小了60%的情况下仍然可以提供类似的性能。
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