Flash存储器Am29F040结构分析

　Am29F040是AMD公司生产的Flash存储器，主要作用是固化程序和保存历史数据，也就是开机后执行闪存的程序，并在程序执行的过程中实时地保存或修改其内部的数据单元。下面首先介绍Am29F040的特点和操作。Am29F040是采用5 V单电源供电的可编程只读存储器，是一种电可擦除与重新编程的器件。该器件由8个独立的64 K字节块组成，访问速度为55~150 ns。片内的状态机控制编程和擦除器件、嵌入式字节编程与区段/芯片擦除功能是全自动的。内部结构框图如图1所示。

　　A0～A18：地址线。其中A8～A18提供存储区地址，行地址确定所在扇区;A0～A7选定某扇区的一 个字节，扇区容量是256字节。DQ0-DQ7：数据输入/输出。在读周期输出数据; 在写周期接收数据。写过程中写入的数据被内 部锁存。CE：输入，芯片使能, 低电平时选中该器件。OE：输入，输出使能, 低电平时打开数据输出缓冲 区，允许读操作WE：输入，写使能，低电平时允许写操作。Vcc为5V电源。Vss为地。

　　工作方式有读方式、待机方式、输出禁止及算法选择。例如，对于写操作的编程命令，如表1所列。 其中：RA为被读出的存储单元地址; PA为被编程的存储单元地址; RD为所选地址单元被读出的数据; PD为所选地址单元被编程的数据。除编程地址、区段地址和读地址之外的所有总线周期地址，地址引脚A18、A17、A16、A15为高或低。

　　下面以命令表的编程命令为例，简要介绍字节编程。表1所列命令是一个4总线周期指令。首先，在地址5555H写入数据0AAH，地址2AAAH写入数据055H，再在地址5555H写入数据AOH，最后是编程的地址和数据。 对于芯片擦除功能，自动地提供编程和电擦除之前，校验所有存储单元所需的电压和时序，然后自动擦除并校验单元界限。利用数据轮询(data-polling)特性，可以监视自动芯片擦除操作期间器件的状态，以检验操作是否完成。

　　程序如下：int Chip-Erase (){*(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*写芯片擦除命令部分*/*(int*)0x00002AAA=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x80808080;*(int)0x00005555=0xAAAAAAAA：*(int*)0x00002AAA=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x10101010;while((*(int)0x000055550x80808080)!=0x80808080) /*数据轮询*/ 对于区段擦除暂停，在区段擦除期间擦除暂停有效，数据值为BOH，不管地址值。区段擦除恢复，仅在擦除暂停之后擦除有效，数据值为30H，不管地址值。下面是简要的程序代码：int Sector- Erase(sectadd) int * sectadd;{ *(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*写区段擦除命令部分*/ *(int*)0x00002AAA=0x55555555; *(int*)0x00005555=0x80808080; *(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; *(int*)0x00002AAA=0x55555555; *sectadd=0x30303030; 对于数据保护，此特性禁止在1-8个区段的任何组合进行编程和擦除操作。执行编程和擦除被保护区段的命令时，不改变区段内的数据。数据轮询位和跳转位工作在2～100μs，然后返回到有效数据。在地址引脚A9和控制引脚E，使用11.5~12.5 V高电压VID’且在控制引脚E上使用VIL将使此特性起作用。其具体操作为：当W为VIH’E为VIL且地址引脚G为VID时，区段保护方式被激活，地址引脚A18、A17、A16用来选择被保护的区段。一旦地址稳定，W处于脉冲低电平，操作开始于W的下降沿。