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PWM变频驱动系统差模干扰分布研究

作者:时间:2012-05-21来源:网络收藏

为了验证直流储能电容对干扰的抑制作用和效果,根据工况,制作了分压网络(R=1 kΩ,C=2 nF),并结合单相干扰分离网络,对直流电容两侧的干扰进行了测试,实验布置如图4所示,其中1,2为直流电容前端接线点,3,4为后端接线点。

d1.jpg

图5示出实验测试结果。

d.JPG

其中iDM5,iDM6分别为逆变桥输入端和整流桥输出端的电流。可知,在1~4 MHz频段上,直流电容前端的差模干扰明显比后端小,f=3 MHz处,iDM5为63.5 dBμA,iDM6为52.4 dBμA,两者差值达到了-11.1 dBμA。这说明直流电容对差模干扰确实有一定的抑制作用。根据以上实验结果,在中的差模干扰分布可总结如下:①电网侧差模干扰:低频段由整流桥主导,中间频段由整流桥和逆变桥共同主导,高频段由逆变桥主导;②负载侧差模干扰主要由逆变桥产生。

4 模型研究

通过上述实验现象对比,得出了差模干扰分布的结论。下面根据实验,对差模干扰分布主要影响因素进行了简要研究。图6为差模干扰基本模型,其中u1,u2为整流桥和逆变桥的差模干扰源;Z1为电网侧差模阻抗,包含输入线上的高频电感和电阻以及LISN差模阻抗;Z2为负载侧的差模等效阻抗,包含输出线上的高频电感和电阻,以及电机绕组的差模等效阻抗;Cd为整流桥和逆变桥中间的直流储能电解电容。

e.JPG

在EMI分析中,可只考虑其干扰最大的情况,故此处分析不考虑相位信息。由电路原理可得:

f.JPG

式中:iZ1,iZ2为流过电网、负载侧的差模电流;ZCd为Cd阻抗。

由系统各项参数和式(1)可得系统差模干扰及其分布情况。但在实际系统中,ZCd已经很小了,很难改变。故只有从Z1,Z2入手,来抑制差模干扰。目前对差模干扰的抑制,一般是加差模电容或差模电感。下面对比分析在电网侧、负载侧加差模电感和差模电容的效果。

假设加在LISN侧串联电感使得Z1增大为Z1+20 dB,并联电容使得Z1减小为Z1-20 dB。图7为改变Z1后,对整流桥和逆变桥在电网侧差模干扰的影响(Z1不变时电网侧差模干扰为0dB)。

g.JPG

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