65nm对决90nm!Intel技术不只领先一点

每一次工艺制程的变更，都将带来处理器性能的飞跃。

    在更新的制程工艺上，Intel这一次稍稍领先。Intel最新的65nm处理器已经在IDF大会上亮相。65纳米（1纳米等于十亿分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片将使英特尔能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。65nm晶体管不仅在尺寸上比90nm产品更小，而且还会降低能耗并减少电流泄漏。 

    65nm工艺将把泄漏降低四倍，同时与90nm晶体管相比性能却不会降低。其秘密在于英特尔的“应变硅”技术。当然，它在90nm工艺中也使用了应变硅，但在65nm节点中使用的却是第二代产品，它能够在使晶体管性能提高10%-15%的同时却不会增加泄漏。 65nm工艺还采用了Low K介电质，这种材料能够进一步限制泄漏。该工艺采用的是8层排列的铜线互连。 

    Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代应变硅技术，铜互连以及低K值电介质。4Mbit的芯片单元大小仅有0.54平方微米，每个单元由6个晶体管组成。Intel介绍1000万个这样的芯片和圆珠笔尖相当。

65纳米技术SRAM芯片
300毫米晶圆

     英特尔首席执行官保罗