集成化精密电流变送器的原理与应用
引言
集成电流变送器亦称电流环电路,根据转换原理的不同可划分成以下两种类型:一种是电压/电流转换器,亦称电流环发生器,它能将输入电压转换成4~20mA的电流信号(典型产品有1B21,1B22,AD693,AD694,XTR101,XTR106和XTR115);另一种属于电流/电压转换器,也叫电流环接收器(典型产品为RCV420)。上述产品可满足不同用户的需要。
XTR系列是美国BB(BURR-BROWN)公司生产的精密电流变送器,该公司现已并入TI公司。该系列产品包括XTR101,XTR105,XTR106,XTR110,XTR115和XTR116共6种型号。其特点是能完成电压/电流(或电流/电流)转换,适配各种传感器构成测试系统、工业过程控制系统、电子秤重仪等。
1 XTR系列产品的分类及性能特点
XTR系列精密电流变送器产品的分类及主要特点详见表1。
表1 XTR系列产品的分类及主要特点
产品 型号 | 满量程输入范围 | 激励源输出 | 输出电流Io/mA | 环路电源Us/V | 封装形式 | 主要特点 |
XTR101 | 10mV或50mV | 两路1mA电 流源 | 4~20 | 11.6~40 | DIP-14SOL-16 | 能将各种传感器产生的微弱电压信号转换成4~20mA的电流信号,适配应变桥、热电偶及铂热 电阻 |
XTR105 | 5mV~1V | 两路0.8mA电流源 | 4~20 | 7.3~36 | DIP-14 | 带2线制或3线制铂电阻接口,能实现温度/电流 转换 |
XTR106 | 满量程范围由电阻Rs来设定 | 2.5V及5V两路基准电压 | 4~20 | 7.5~36 | DIP-14 | 带2.5V或5V激励源,适配应变桥 |
XTR110 | 0~5V或0~10V | 10V基准电压 | 4~20或0~20或5~25 | 13.4~40 | DIP-16 | 可选择输入电压范围和输出电流范围 |
XTR115 | 40~200μA | 2.5V基准电压 | 4~20 | 7.5~36 | SO-8 | 带2.5V激励源和+5V精密稳压器,可分别给应变桥和前置放大器单独供电,能简化电源设计 |
XTR116 | 40~200μA | 4.096V基准电压 | 4~20 | 7.5~36 | SO-8 | 带4.096V激励源和+5V精密稳压器,可分别给应变桥和前置放大器单独供电,能简化电源设计 |
2 XTR115型电流变送器的工作原理
2.1 性能特点
1)它属于二线制电流变送器,内部的2.5V基准电压可作为传感器的激励源。XTR115可将传感器产生的40~200μA弱电流信号放大100倍,获得4~20mA的标准输出。当环路电流接近32mA时能自动限流。如果在脚3与脚5之间并联一只电阻,就可以改变限流值。
2)芯片中增加了+5V精密稳压器,其输出电压精度为0.05%,电压温度系数仅为2010-6/℃,可给外部电路(例如前置放大器)单独供电,从而简化了外部电源的设计。
3)精度高,非线性误差小。转换精度可达0.05%,非线性误差仅为0.003%。
4)环路电源电压的允许范围宽,Us=7.5~36V。XTR115由环路电源供电。工作温度范围是-40℃~+85℃。
5)专门设计了功率管接口,适配外部NPN型功率晶体管,它与内部输出晶体管并联后可降低芯片的功耗。
XTR115采用SO-8小型化封装,其内部电路框图及基本应用电路如图1所示。U+为电源端,接环路电源。UREF为2.5V基准电压输出端。II端接输入电流。IRET为基准电压源输出电流和稳压器输出电流的返回端,可作为输入电路的公共地。OUT为4~20mA电流输出端。UREG为+5V稳压器的输出端。B和E端为外部功率管的接口,分别接功率管的基极(B)和发射极(E)。功率管的集电极(C)接U+端。芯片内部主要包括输入放大器(A),电阻网络,输出晶体管(VT1),2.5V基准电压源和+5V稳压器。RLIM为内部限流电阻。外围元器件主要有输入电阻(RI),功率管(VT2),环路电源(Us)和负载电阻(RL)。输入电压UI先经过RI转换成输入电流II,再经过XTR115放大后从OUT端输出4~20mA的电流信号。为减小失调电压以及输入放大器的漂移量,要求UI>0.5V。输出电流与输入电流、输入电压的关系由式(1)确定。
Io=100II=100UI/RI (1)
3 XTR系列产品的应用电路
3.1 应变桥电流变送器
由XTR115构成应变桥电流变送器的电路如图2所示。将脚3视为公共地,由脚1给应变桥提供+2.5V的电源电压。前置放大器采用TL061型单运放(亦可采用OPA2277型双运放,仅用其中的一个运放),由+5V稳压器单独给运放供电。RI为20kΩ输入电阻,C为降噪电容,VT为外部NPN功率管,可选2N4922,TIP29C或TIP31B等型号。以2N4922为例,其主要参数为UCEO=60V,ICM=1A,PCM=30W。该电路的工作原理是当试件受力时,应变桥输出的电压信号首先经过前置放大器放大成0.8~4V的输入电压UI,再通过RI转换成40~200μA的输入电流II,最后经XTR115放大100倍后获得4~20mA的电流。
需要指出,XTR115只能配NPN功率管,不能配MOS场效应功率管。外部功率管应满足XTR115对电压、电流的要求,使用中还须给功率管装上合适的散热器。
3.2 保护电路的设计
保护电路应兼有反向电压保护与正向过压保护两种功能。XTR115的保护电路如图3所示。反向电压保护电路由二极管整流桥VD1~VD4组成,可防止因将环路电源的极性接反而损坏芯片。整流二极管可选用1N4148型高速硅开关二极管,其主要参数为URM=75V,Id=150mA,trr=4ns。采用桥式保护电路之后就不用再考虑环路电源的极性,因为,无论Us的极性是否接反,它总能保证U+端接得是正电压。鉴于在任何时刻整流桥上总有两只二极管导通,因此,在计算环路电压ULOOP时须扣除两只硅二极管的正向压降(约为1.4V),由式(2)确定。
ULOOP=Us-IORL-1.4 (2)
过压保护电路采用一只1N4753A型稳压管,其稳定电压为36V,稳定电流为7.0mA。当环路电压过高时就被钳位到36V。实验证明,即使环路电压达到65V,XTR115也不会损坏。为了改善瞬态过压保护特性,还可采用Motorola公司生产的P6KE39A型瞬态电压抑制器(其英文缩写为TVS,亦称瞬变电压抑制二极管)来代替稳压管。P6KE39A的钳位电压UB=39V,钳位时间仅为1ns,其性能远优于齐纳稳压管。
3.3 配J型热电偶的电流变送器电路
Rs=40/[(ΔIo/U1)-0.016] (3)
式中:ΔIo=20mA-4mA=16mA。
例如,当UI=100mV时,由式(3)不难算出,Rs=278Ω。Rs的引线应尽量短,以减小干扰。当Rs=∝时,UImax=1V。Rp为调零电位器,在0℃下调整Rp可使Io=4mA。冷端温度补偿电路由二极管VD1,分压电阻R1和R2组成,R1及R2均采用精密金属膜电阻。
J型热电偶在-200℃~+750℃测温范围内的平均温度系数αT=+51.70μV/℃。硅二极管正向压降的温度系数αD≈-2.1mV/℃,经过R1和R2分压后
αD′=αD[R1/(R1+R2)]=-2.1[51/(210 3+51)]=-52μV/℃≈-αT
因为αD′与αT的大小相等而方向相反,二者又分别接到XTR101的负输入端和正输入端上,所以在室温下二者能互相抵消,从而实现了冷端温度(即环境温度)补偿,使温差热电势仅仅与被测温度有关(e=αTT),不受环境温度变化的影响。XTR101能输出两路1mA激励电流,分别接J型热电偶和电阻分压器。反向电压保护电路由VD2组成,当Us接反时VD2截止,电源不通。正常工作时VD2导通,环路电压ULOOP=Us-IORL-0.7V。
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