以较高的开关频率在负载点 (POL) 应用中工作

　　摘要： Power Clip 33 封装十分新颖，旨在增加同步整流 (SR) 降压应用中的功率密度，同时使用与传统分立式 Power 56 封装相比明显较小的 PCB 面积。 本文详细分析飞兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何实现这一性能的。

　　概述

　　本文：

　　a. 总结了通过 Power Clip 封装实现的电源系统尺寸和电流密度的改进
　　b. 详细介绍了实现性能提升的 Power Clip 的特性
　　c. 提供了一对设计示例，展示通过该小占位面积和高频设计实现的总体元件占位面积减少
　　d. 展示了将 Power Clip 与传统设计在效率、功率损耗、波形、温度和热阻方面进行比较的测量数据。

　　简介

　　对电源工程师来说，功率密度 (A/mm2) 是器件选型中的一个重要指标。Power Clip Dual MOSFET 的设计是经过针对性的优化，可为同步降压调节器应用提供异常高的功率密度。

　　全新的 Power Clip 3.3x3.3 是对优化品质因数 (FOM)的硅技术和增强的散热设计的高效结合。

　　图1和图2展示这一新产品相较于两个竞争产品的性能。 新 Power Clip 较这两者性能都好。

　　图1显示，与较大尺寸的 5x6 竞争产品相比，Power Clip 的效率更高。 图1中的散热图片是在测试结束时拍摄的。 较小的 Power Clip 能够以同等的 TJ处理额外的 3 A 负载。

　　图2显示，与同等尺寸的 3.3x3.3 竞争产品相比，Power Clip 具有更好的效率和温度。 图2中的散热图片是在测试结束时拍摄的。 Power Clip 以低6 °C 的 TJ 温度处理了额外 8 A 的负载。

　　注意，这一图2评测使用与图1不同的控制器完成，因此 Power Clip 结果略有不同。

　　图3展示了过去 6 年中测试的一系列飞兆评测板的功率密度的演化。 Power Clip 产品实现的密度是上一代产品的近两倍。

　　这得益于 PowerTrench^®工艺和封装技术的改进。图4展示了 Power Clip 33 MOSFET Asymmetrical Dual MOSFET 设计在负载点 (POL) 或同步整流 (SR) 降压转换器应用中的演化。 Power Clip 33 MOSFET 将一对分立式 MOSFET 的最佳的特性结合到 3.3x3.3 mm 的封装上。