海力士与ST为合资存储器芯片制造厂举行落成典礼
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这个技术先进的新工厂将负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片，该合资公司是海力士与意法半导体成功合作的结晶。合资双方将获得规模经济带来的巨大的经济效益，将能提前进入飞速增长的中国市场，在制造工艺和产品开发上实现优势互补。无锡晶圆制造厂将加快意法半导体在NAND闪存市场的前进步伐，同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的高性能的具有成本竞争力的DRAM芯片。新工厂将有助于扩大海力士的12英寸生产线的产能，加强其在全球增长速度最快的中国半导体市场上的领先地位。海力士DRAM目前在中国的销售量居第一位，据最新的iSupply资料显示，市场份额约为47%。无锡工厂竣工后，海力士又增加了一个全球制造基地，该公司在美国俄勒冈尤金市还有一家全球制造基地。
两家公司于2005年4月为新工厂举行了奠基仪式，工厂占地面积550,000平方米，无尘洁净室达到20,000平方米，8英寸和12英寸生产线分别于2006年7月和10月开始量产。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工艺，90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产， 80nm晶圆在12英寸生产线上生产。明年年中，两条生产线除生产现有的DRAM外，还将开始生产工艺先进的NAND闪存。在产能方面，8英寸生产线预计月产晶圆 50,000片，12英寸生产线的月产量将达到18,000片晶圆。双方将根据市场情况分配产品和存储器密度。
这个合资厂的总投资额为20亿美元，意法半导体与海力士半导体的股份比例1/3：2/3，中国本地金融机构和意法半导体还为合资公司提供了联贷计划。
该合资公司雇用大约2000名员工，绝大多数人来自本地劳动力。从新工厂到上海是两个小时的路程，工厂附近有大量的技术熟练的劳动力，高度发达的配套基础设施，以及巨大的扩展空间。
“如果不与ST合作，没有无锡市政府的支持，我们不可能建成无锡工厂。通过合资公司，海力士相信与ST和无锡市的合作关系将会得到进一步加强，新工厂有利于两家公司各自的长远发展。”海力士半导体公司董事长兼首席执行官禹义济表示，“我期望无锡工厂将成为海力士建立国际存储器公司的立足点。”
市场调研公司iSuppli预计今年DRAM市场的增幅将达到24.4% ，营业收入将达到309亿美元，2006年NAND市场增幅将会达到17% ，营业收入将达到126亿美元。
中国是世界增长最快的半导体市场，目前中国市场占全球市场约15％。据市场调研机构的预测，中国在2008年前将会成为世界最大的半导体市场，市场份额占全球半导体市场的四分之一以上。
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