NPB厚度对白光OLED性能的影响研究

引言

近年来，由于全球能源危机的影响，白光OLED的研究越来越受到科学界和研究人员的广泛重视，因为它不仅能够作为新一代的照明光源，而且还可以作为固体光源应用于制造全彩显示器和显示器的背光源。它具有节能、环保、可卷曲、轻薄和驱动电压低等诸多优点，因此受到业界人士的关注。白光OLED的获得大都通过混合三种颜色(红、绿、蓝)的小分子、聚合物或磷光材料或两种补偿色(天蓝和橙黄)的材料到多层或单层结构中。大多数WOLED都采用堆叠式结构或者单发光层多掺杂剂的结构。

目前国内外的研究人员用不同方法制备了白光器件，如用聚合物PVK作为主体材料掺杂蓝光染料和橙红光染料的单一发光层，没有空穴注入层和空穴传输层，阴极采用Mg2Ag合金阴极，这一方法制备出来的白光器件具有较好的白光发射，但是亮度和发光效率都较低，器件性能较为不好。国内的研究人员也做过一篇调整空穴传输层NPB(4,42N,N2bis2N212naphthy12N2pheny12amino2bipheny1)的厚度改善蓝光OLED器件性能的文章，得出亮度会随厚度的增加而增加，对应的发光效率也有很大变化，从而得出厚度对器件的发光性能影响很大。后来有人用了多发光层结构制备白光器件，通过调整空穴传输层的厚度使器件的性能有了较大改善，但是对比以ADN为主体掺杂两种染料的单发光层，其结构复杂，操作程序繁琐，控制误差较大，同时发光层多，厚度增加，启亮电压增大，效率降低。

实验采用ADN作为主体材料，掺杂红光和蓝光染料的白光OLED体系制备器件，结果表明：这种结构制备出来的白光OLED器件具有较好的色稳定性，并且发光效率也较高。曾有文章讨论了发光层中的红光掺杂剂DCJTB的掺杂浓度对器件性能的影响，并得出了白光OLED的较佳掺杂浓度的器件。本文将进一步讨论空穴传输层NPB厚度对基于ADN体系的白光OLED性能的影响，并对器件做进一步的优化，这对白光照明及显示的制备具有一定的指导作用。

1　实验

实验用材料为西安瑞联近代电子材料有限公司的OLED专用高纯化学品，对所用ITO导电玻璃基片进行了严格的清洗流程，分别用洗涤剂溶液、丙酮溶液、乙醇溶液和去离子水超声清洗10min,然后在真空干燥箱中烘干。再将清洁而且干燥的ITO玻璃基片移入OLED2V型有机多功能真空成膜设备预处理室，在500V电压下进行氧等离子体溅射处理5min,这样有利于除去ITO表面的碳污染，并提高ITO的功函数，有利于空穴从ITO电极注入到有机材料中。预处理后的基片传入真空腔体，有机材料和金属阴极都在真空度为610×10-4Pa下依次进行蒸镀，有机材料的蒸发速率为012nm/s,阴极Al/LiF的蒸发速率为1nm/s,使用SI2TM206型六通道膜厚监测仪进行实时控制。

电子传输层采用Alq3,是因为它具有高的电离能EA(约310eV)和电子亲和能Ip(约5195eV)以及好的热稳定性和化学稳定性，量子效率高且能够通过真空蒸镀的方法形成高质量无针孔的薄膜。发光层用两种荧光材料蓝与红掺杂在主体材料ADN中，形成白光发射。

TBPe是蓝色发光材料，能够有效地传输电子并且有效地阻止激基复合物的形成，提高效率。相关文献表明DCJTB是目前最佳红色染料，用DCJTB作为辅助掺杂剂，器件表现出了稳定的电致发光EL效率。器件的结构以及能级结构图如图1所示。

图1　器件结构与能级结构图

实验制备了四组OLED器件

A)ITO/22TNATA(15nm)/NPB(15nm)/

ADN(30nm)：TBPe(2%)：DCJTB(1%)/

Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm);

B)ITO/22TNATA(30nm)/NPB(15nm)/

ADN(30nm)：TBPe(2%)：DCJTB(1%)/

Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm);

C)ITO/22TNATA(15nm)/NPB(35nm)/

ADN(30nm)：TBPe(2%)：DCJTB(1%)/

Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm);

D)ITO/22TNATA(15nm)/NPB(40nm)/

ADN(30nm)：TBPe(2%)：DCJTB(1%)/

Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。

在室温、大气环境下，测试以上四组未封装器件，发光亮度采用ST2900B型光度计测量，器件的电致发光(EL)光谱特性使用杭州远方光电信息有限公司的PMS280光谱分析系统进行测试，I2V特性曲线用直流电源DCPowerSupplyPS23003D进行测量。

2　结果与讨论

从图2中可以看出，四组器件的电流密度和发光亮度均随驱动电压的增加而增大，并且在高电场强度与正偏电压呈指数关系，表现出典型的二极管整流特性。器件的电流密度和亮度随着空穴传输层NPB厚度的变化而变化。当NPB的厚度分别为15,30和35nm时，电流密度相似，发光亮度随着厚度的增加而逐渐增大，到35nm时亮度达到最大值14020cd/m2,击穿电压为1318V,当NPB厚度再增加到40nm后，电流密度突然下降，随之器件的发光亮度也显着下降，当下降到7790cd/m2,此时击穿电压为1313V。这一现象说明，NPB作为空穴传输层材料不能太厚，否则会影响载流子传输，降低器件的发光效率。图2同时由表1也可以看出，随着NPB厚度的增加，四组器件的启亮电压和击穿电压都逐渐增大，而电流效率(ηL)和功率效率(ηP)也都逐渐增加，到厚度35nm时为最佳值，分别为7181cd/A和2194lm/W;当厚度增加到40nm时，发光效率则明显下降，此时最大电流效率在电压为9V时为4181cd/A,功率效率为2173lm/W,功率效率的值均在电流密度为2815mA/cm2处获得。

图2　器件的电流密度-电压(J2V)，亮度-电压(L2V)与亮度-电流密度(L2J)特性曲线

表1　四组器件的电致发光性能