东芝为基站和服务器推出30V电压功率MOSFET
实现最高级别低导通电阻性能和高速转换
本文引用地址：http://www.amcfsurvey.com/article/153076.htm
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
特性
1. 采用了第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的低导通电阻
2. 实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比(Cgd/Cgs)，有助于预防自启动现象
规格
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