嵌入式系统中非易失、不可复位计数器的实现
本文介绍如何利用常见串行EEPROM的EPROM仿真模式及编码机制解决这一问题。
设计目标
有些应用中,考虑到质保期的要求,希望能够对特定的事件进行计数和记录,例如上电次数、工作时间、硬(按钮)复位和超时。传统的电子计数器通常由双稳态多谐振荡器组成,采用二进制编码,如图1所示。当全部触发器复位时,则达到最大计数值,计数器规模由核查期限内允许发生某些事件的最大次数决定。
Bit Number | ||||||||||
n+1 | n | ... | 8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 |
2n | 2n-1 | ... | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 |
图1. 二进制码中,下一位比上一位位值翻倍。
定位需求
尽管基于触发器的计数器很容易搭建,但它存在一个缺点。当达到计数限值时,计数器反转为零(自动复位)。工作状态也是易失的—需要电源维持其计数状态。第一个问题可通过达到限值时冻结计数器解决;也可以通过安装电池维持计数器的供电,从而解决第二个问题。但这些措施在实际应用中可能无法接受,因为增加了成本,且工作时间有限。
一种替代方案是:将计数值备份在EEPROM或其它形式的非易失(NV)存储器中。下次上电时,将该NV存储器中储存的数值加载到计数器。然而,除非NV存储器嵌入另一个芯片,例如微控制器或FPGA,否则存储器内容并不安全,因为存储器芯片很容易拆除、重新编程(复位),然后重新安装到电路板上。因此,这种方法不满足不可复位的要求。
传统设计
EPROM是另一种不需要电池的非易失存储器。EPROM在上世纪70年代随着微处理器的出现得到广泛使用。出厂时,EPROM的全部字节为FFh。通过将某一位从1 (擦除)置为0 (编程)来储存数据;编程需要12V至13V脉冲电压。加载新数据之前,必须用高强度紫外线通过封装上的窗口照射芯片,从而擦除整个存储器。一次性编程(OTP) EPROM器件没有窗口,因此不可擦除。由于这些不便之处,EPROM的主导地位逐渐被EEPROM和高密度闪存所取代,后两者的工作和编程电压为5V或更低。虽然如此,将OTP EPROM一次可编程(1至0)及不可擦除的特点与现代EEPROM技术相结合,能够得到EPROM仿真模式的新特性。EPROM仿真模式是实现非易失、不可复位计数器的关键技术。
EPROM仿真模式
串口EEPROM的一个常用功能是充当写入页的缓存器,能够一次编程整个存储器页。收到写命令时,系统自动装载包含寻址存储器数据的页缓存器内容。对于EPROM仿真模式,按照移位寄存器写缓存器(图2)。输入新数据(D-IN)送到一个“与”门,在进入缓存器(S-IN)之前将其与缓存器数据(S-OUT)相组合。因此,“与”门确保存储器位在置为0后不会变为1。经过一个完整的页操作周期后,缓存器的数据再次与存储器页中的数据对齐。随后可以开始一个写周期,将整个缓存器内容复制到非易失EEPROM。
图2. EPROM仿真将新数据与已有数据位相“与”,写回到存储器。
EPROM计数
由于EPROM位只能在一个方向改变,不支持传统的计数器设计思路,而是将整个存储器阵列视为一个n位的单体。初始状态下,n位存储单元均未编程(为1)。为了对事件计数,必须将未编程的位更改为0。可以简单地随机选择下一个编程位,但图3所示方法更容易实现。该方法从最低有效位开始依次计数,直到对一个字节的所有位进行编程。然后再逐位编程下一个字节,依此循环。EPROM仿真模式下,1024位存储器芯片可以对1024个事件计数。
Count Value | Hex Code | Bit Number | |||||||
8 | 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | ||
0 | FFh | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
1 | FEh | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 |
2 | FCh | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 |
3 | F8h | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 |
4 | F0h | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
5 | E0h | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
6 | C0h | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
7 | 80h | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
8 | 00h | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
图3. EPROM计数要求对每一位设置相同值。
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