中微公司将发布新一代等离子刻蚀设备

　　今年IC China(一年一度在上海举办的业内知名半导体展会和论坛)展会期间，先进的设备制造商 -- 中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微公司”)，将于本周三在上海世博展览馆，就其设计创新、技术领先的新一代刻蚀设备产品举办新闻发布会。届时，中微公司董事长兼首席执行官尹志尧博士将介绍公司产品开发的最新进展;中微公司资深技术专家将在会上介绍公司研发部门开发成功的两款新一代刻蚀设备。

　　新设备中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“单反应器甚高频去耦合反应离子介质刻蚀机”)，可应用于最先进的存储芯片和逻辑芯片的加工生产，包括2x纳米及1x纳米代高深宽比接触孔刻蚀、沟槽及接触孔刻蚀、串行刻蚀(在单反应器中实现多步操作)。Primo SSC AD-RIE拥有独特的创新设计，能够在工艺控制方面实现前所未有的灵活性，并能帮助芯片生产商在确保芯片加工质量的同时达到更高的产出效率。

　　另一款，12英寸硅通孔刻蚀设备Primo TSV300E(R)，拓展了原有的8英寸硅刻蚀产品Primo TSV200E(R)的能力，可用于多种硅深孔及深槽刻蚀。公司的8英寸硅通孔刻蚀设备Primo TSV200E(R)获得业界认可，已被亚洲众多客户用于先进系统封装、2.5维封装和微机电系统芯片的生产。中微第一台Primo TSV300E(R)设备已在国内领先的晶圆封装厂运转。

　　这两种设备强化了中微公司产品布局，为全球芯片生产商应对半导体工艺的挑战提供了更多、更新、更好的解决方案。

　　中微公司董事长兼首席执行官尹志尧认为，IC China是一个极有价值的平台，非常适合新技术产品发布。他表示：“作为中国起步最早的半导体展会，IC China对国内外的技术专家和企业领导人具有极大的吸引力，同时为半导体制造前沿技术的深入讨论提供了平台。我们很高兴能在这次展会上发布中微新一代刻蚀设备。这些设备都具有领先的独特创新，能够解决随着技术进步和材料深度整合出现的新的技术障碍。这些设备也能为芯片生产商带来显著的成本竞争优势，创造更多价值。”

　　Primo SSC AD-RIE具有卓越的工艺控制灵活性，带来更高产能及更佳芯片加工结果

　　Primo SSC AD-RIE是中微公司最新的介质刻蚀设备。它在中微和国际领先的半导体芯片制造商的合作中开发而成，能够实现超高产能、最好的芯片加工质量和芯片刻蚀技术可延展性等严苛的技术目标。该设备的晶圆传递平台可配置多达6个单芯片加工反应器，每个反应器可以独立地优化加工条件，以实现不同工艺控制的灵活性。每个反应器的分子泵有极高的抽速，对包括压力、流量、射频功率以及温度在内的重要参数有很好的调节作用，而并行工艺精确控制能实现反应器之间的良好匹配度。更佳的反应器之间匹配能够提高刻蚀的重复性，从而提高生产效率。

　　采用Primo SSC AD-RIE，客户可以得到更先进的工艺、卓越的芯片加工性能、技术可延展性和成本竞争优势。

　　Primo SSC AD-RIE特点和优势

　　-- 超高速涡轮分子泵和大抽气通道，可以产生高流量、低压力，有利于高深宽比(HAR)刻蚀;

　　-- 极高功率的低频射频偏压电源。7kW 2MHz偏压功率可以提供更高的离子能量，结合可以选配的脉冲射频功率电源一起，可以提高在高深宽比(HAR)刻蚀中各向异性刻蚀的性能;

　　-- 配备较大的射频接地面积、产生更高的直流偏压，可以产生更高的离子能量和更佳的刻蚀方向性;

　　-- 双区控温的静电吸盘配有双区温控设备，可以提高温度和均匀性控制，并且更有效地散热;

　　-- 除三区的气体分布系统(中心、边缘和极端边缘)和配备两路可以独立控制中心、边缘和极端边缘区域精细调整的气体，再结合双区控温的静电吸盘一起，产品反应器可以实现关键尺寸均匀性的精密控制;

　　-- 选配的硅片边缘工艺套件，可以提高硅片极端边缘的刻蚀均匀性，实现更好的关键尺寸均匀性和更优化的刻蚀剖面，提高整体硅片良率。

　　Primo TSV300E(R)：用于硅深孔刻蚀的先进刻蚀设备

　　Primo TSV300E(R)不仅拥有前一代设备TSV200E(R)的技术创新点，还拓展了工艺范围。具有双反应台的反应器既可以单独加工单个晶圆片，又可以同时加工两个晶圆片。该刻蚀设备可安装多达6个加工反应台(即3个双反应器)，这使得芯片产出能力几乎翻了一倍，并降低了加工成本，对于注重节省成本的客户来说无疑是不二之选。

　　区别于Primo TSV200E(R)，Primo TSV300E(R) 配备了高效能冷却系统的5kW高功率电源，可以提高工艺的调整能力，同时它还具有独特的气体快速切换装置，可以使通孔刻蚀的侧壁更加光滑。产品应用了电感耦合等离子体源，反应器可以用于深硅刻蚀和非博世工艺。

　　Primo TSV300E(R)还有一项重要的技术创新点，它可以和中微的Primo D-RIE(R)刻蚀设备灵活结合，混合配置出具备在同一平台进行等离子体刻蚀和TSV硅通孔刻蚀能力的设备。这种灵活的安排带来了技术最优化和成本的竞争优势。

　　Primo TSV300E(R)特点和优势

　　-- 配备高效能冷却系统的5kW功率射频电感耦合等离子体源功率电源，可以提高工艺的调整能力;

　　-- 有自主知识产权的气体分布系统，可以在宽广的工艺范围内显著提高刻蚀均匀性;

　　-- 独特的气体快速切换装置，可以使通孔刻蚀的侧壁更加光滑;

　　-- 400KHz脉冲式和连续的偏压射频电源，可以消除刻蚀工艺过程中产生的通孔形状的畸变，同时扩展工艺的可调性，提高设备性能的可预见性;

　　-- 反逆流屏蔽环可以均衡等离子体屏蔽，防止气体反应后反向扩散;

　　-- 尺寸可变的气体集聚环可以优化刻蚀均匀性，同时拓宽工艺窗口和范围。

　　IC China半导体展会和论坛将于2012年10月23日至25日在上海世博展览馆1号馆举办，中微公司除将召开技术创新和领导人会议外，IC China展会期间还在B04展位设有展台，欢迎莅临参观。