英飞凌推出第一代65nm嵌入式快闪安全芯片

　　英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快闪 (eFlash)安全芯片样本，主要用于芯片卡与安全防护应用。这是英飞凌和台积电自 2009 年合作开发及生产 65nm eFlash 安全芯片的成果。

　　首批进入量产的产品将是 SIM 卡应用的安全芯片，预计将于 2012 下半年进行制程及产品验证。在竞争激烈的安全 IC 市场上，采用 65nm 技术生产具有相当大的竞争优势，因为相较于旧有技术，65 nm 技术能够大幅缩小芯片体积，进而提高效率。此外，12晶圆亦较8晶圆更具生产力。

　　适用于芯片卡及安全防护应用的 65nm eFlash 技术将会是英飞凌的技术基石，让公司得以发挥创新能力，专注开发生产客制化的安全性产品，以最佳成本效益比，针对智能卡尺寸及其他应用装置提供适当的安全等级。除与台积电合作开发12?晶圆外，英飞凌更将合作范围延伸至 90nm eFlash 节点。

　　英飞凌科技并于 2011 年智能卡暨身份识别技术产业展 (CARTES & IDentification 2011) 中展示该芯片卡及安全性解决方案。

　　英飞凌芯片卡及安全业务事业处营运部副总裁 Pantelis Haidas 表示，这是英飞凌与台积电合作开发采用 65nm eFlash 技术的首项成果。该公司依据信息技术安全评估共同准则(Common Criteria for Information Technology Security Evaluation)所规格的生产环境中，成功采用了这项先进的12晶圆技术，并为往后可提供各式芯片卡和安全防护应用的产品建立基础。