宏力半导体成功开发0.13微米嵌入式EEPROM模块

　　中国上海，2012年7月30日-上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)，专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功开发出高可靠性的0.13微米嵌入式EEPROM模块(具有单字节擦写能力)。

　　宏力半导体先进的0.13微米嵌入式非挥发性存储技术，第一次在0.13微米1.5伏低漏电、低功耗逻辑工艺平台上实现了闪存模块和EEPROM模块的完美结合。基于该先进技术开发出的0.13微米嵌入式EEPROM模块，数据保持时间达到100年，擦写次数大幅提高到50万次。此次显著的技术创新与提升，标志着宏力半导体在嵌入式非挥发性存储器技术研发领域迈入了新的里程碑，进一步巩固了宏力半导体在嵌入式非挥发性存储器市场的领导地位。

　　“0.13微米嵌入式EEPROM模块因其耐久的数据保持时间和优异的擦写能力，一经推出，就受到了客户的青睐。”企业发展暨战略单位副总经理傅城博士表示，“搭载该模块的产品能够为客户提供高可靠性、低成本的解决方案，在银行卡、金融IC卡、移动支付、RFID、电子护照等安全类芯片和MCU中具有广阔的前景。”