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瑞萨第七代650V和1250V IGBT建立新技术标准

—— 可以在工业应用中实现高效的解决方案
作者:时间:2012-07-25来源:电子产品世界收藏

  电子公司(TSE: 6723),高级半导体解决方案的主要供应商,日前宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管()阵列增加13款新产品。新的包括采用650V电压的RJH/RJP65S系列和采用1250V电压的RJP1CS系列。新的作为功率半导体器件,用于将DC转换成AC电源的系统中,设计用于对应高电压和大电流的应用,如太阳能发电机和工业电机用功率调节器(功率转换器)。第七代技术,采用增强型薄化工艺,在传导、开关损耗以及耐受能力之间达到了低损耗平衡,以承受短路情况的发生。  

本文引用地址:http://www.amcfsurvey.com/article/135024.htm
 

  与之前采用第六代技术的600V和1200V产品相比,第七代产品系列具有650V和1250V的更高额定电压,以满足低温性能要求和过压阻断能力。

  IGBT适用于电机控制应用。在这些应用中,器件的短路保护性能是一个设计中的重要参数选择。第七代IGBT系列具有了10 µs的额定短路耐受力,使其适用于通用电机。

  最近,对环保和其它因素的关注推动了对于提高电子设备能效的要求,并且要求向着太阳能和风能等清洁能源进行转换。在处理高电压和大电流的设备(如太阳能逆变器、喷水泵,和大电流逆变控制电机)的领域,这种提高效率的努力尤为积极。对用于DC-AC功率转换这类设备的IGBT产品,这促进了对其大幅降低损耗的需求。然而,在对于降低功耗至关重要的饱合电压(注1)和处理大电流的设备所要求的高短路耐受力之间存在平衡。我们很难实现低功耗和大约10微秒的高短路耐受力(注2),而这是在电机驱动等应用中至关重要的考虑因素。基于此,开发了这一高性能IGBT新产品。

  新款IGBT的主要特性:

  (1) 650V版本饱和电压降为1.6V,1250V版本饱和电压降为1.8V,从而实现更高的效率

  独有的超薄技术使饱和电压从瑞萨早期版本产品的1.8V(标准值)降低到现在650V版本的1.6V(标准值),从早期版本产品的2.1V降低至1250V版本的1.8V,分别降低了约12%和15%。这就降低了功耗并有助于提高效率。

  (2) 10微秒的高短路耐受力,可实现更高的可靠性水平

  对于大电流的应用设备中至关重要的高短路耐受力,通过最优的单元结构技术,已经从瑞萨相对早期产品的8微秒(µs)提高到10µs或者更高。这就保证了用于太阳能逆变器的功率调节器等系统具有出色的稳定性和强劲的性能。


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关键词: 瑞萨 晶圆 IGBT

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